Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
- Автор:
Фетисова, Валентина Михайловна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Владикавказ
- Количество страниц:
124 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок | Бобринецкий, Иван Иванович | 2004 |
| Разработка системы изотопного анализа UF6 и мониторинга HF в атмосфере на основе полупроводниковых приборов | Семенов, Владимир Михайлович | 2014 |
| Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия | Гапонова, Дария Михайловна | 2002 |