Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
- Автор:
Фетисова, Валентина Михайловна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Владикавказ
- Количество страниц:
124 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью | Корнеев, Иван Владимирович | 2011 |
| Алгоритмы помехоустойчивой связи и элементная база для их реализации | Бирюков, Петр Геннадьевич | 2004 |
| Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов высокочастотных многофункциональных интегральных схем | Стахин, Вениамин Георгиевич |