Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
- Автор:
Шевяков, Василий Иванович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
367 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктурированных пленок ZnO методом импульсного лазерного осаждения для чувствительных элементов газовых сенсоров | Замбург, Евгений Геннадьевич | 2015 |
| Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления | Изюмов, Михаил Олегович | 2001 |
| Термостимулированные процессы на глубоких уровнях в полупроводниках и гетероструктурах на их основе | Коровин, Александр Павлович | 1999 |