Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
- Автор:
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
125 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Григорьев, Денис Валерьевич | 2005 |
| Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии | Джабраилов Тайяр Акбер оглы | 2001 |
| Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками | Каштанкин, Илья Александрович | 2006 |