Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
- Автор:
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
125 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости», автор — Рыбальченко, Андрей Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 125 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006745659. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау | Калагин, Александр Константинович | 2008 |
| Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии | Зиновьев, Владимир Анатольевич | 2004 |
| Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами | Каменская, Ирина Валентиновна | 2007 |