Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
- Автор:
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
125 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости», автор — Рыбальченко, Андрей Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 125 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006745659. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах | Черников, Максим Александрович | 2005 |
| Комплексообразование в кремнии, легированном селеном | Таскин, Алексей Анатольевич | 2000 |
| Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах | Зотова, Оксана Васильевна | 2004 |