Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
- Автор:
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
125 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами | Рембеза, Екатерина Станиславовна | 2006 |
| Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах | Лукашов, Николай Васильевич | 1999 |
| Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175) | Капралов, Александр Владимирович | 2004 |