Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Григорьев, Денис Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
218 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе | Бадгутдинов, Мансур Лябибович | 2007 |
| Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами | Рембеза, Екатерина Станиславовна | 2006 |
| Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |