Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Григорьев, Денис Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
218 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах | Буравлев, Алексей Дмитриевич | 2002 |
| Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах | Зеленый, Александр Петрович | 1998 |
| Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний | Набок, Алексей Васильевич | 1984 |