Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Григорьев, Денис Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
218 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе | Абрамов, Алексей Станиславович | 2001 |
| Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур | Корнилович, Александр Антонович | 2002 |
| Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе | Хвостиков, Владимир Петрович | 2003 |