Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Григорьев, Денис Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
218 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Григорьев, Денис Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2005 году. Объем работы: 218 с.. Внутренний код товара: 01003299805. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом | Угрюмова, Надежда Викторовна | 1998 |
| Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN | Александров, Сергей Борисович | 2006 |
| Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков | Астапова, Елена Степановна | 1999 |