Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Григорьев, Денис Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
218 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии», автор — Григорьев, Денис Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2005 году. Объем работы: 218 с.. Внутренний код товара: 01003299805. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование распределения зарядов и электрических полей в приборных наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии | Алексеев, Прохор Анатольевич | 2013 |
| Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов | Лисаченко, Максим Геннадьевич | 2003 |
| Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки | Коростелев, Дмитрий Александрович | 2012 |