Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Автор:
Каштанкин, Илья Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
140 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах | Лабутин, Олег Анатольевич | 1999 |
| Электронный транспорт и упругие свойства подвешенных полупроводниковых наноструктур | Шевырин, Андрей Анатольевич | 2014 |
| Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов | Любинский, Илья Семенович | 2006 |