Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Автор:
Каштанкин, Илья Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
140 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si) | Скупов, Антон Владимирович | 2019 |
| Квантовые точки I и II типа | Макаров, Александр Геннадьевич | 2004 |
| Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния | Павликов, Александр Владимирович | 2000 |