Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Автор:
Каштанкин, Илья Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
140 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя | Воронин, Игорь Николаевич | 1984 |
| Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах | Шубина, Татьяна Васильевна | 2008 |
| Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe | Мидерос Мора Даниэль Алехандро | 2008 |