Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
- Автор:
Джабраилов Тайяр Акбер оглы
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
100 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией | Истомин, Леонид Анатольевич | 2010 |
| Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия | Гварджаладзе, Лили Константиновна | 1985 |
| Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе | Пархоменко, Яна Александровна | 2003 |