Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
- Автор:
Джабраилов Тайяр Акбер оглы
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
100 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния | Дмитриев, Валентин Александрович | 2005 |
| Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое | Лелак, Ярослав | 1985 |
| Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика | Бережной, Игорь Геннадьевич | 1999 |