Рассеяние носителей заряда в облученном электронами кремнии по данным циклотронного резонанса

• Автор: Курочкин, Леонард Александрович
• Шифр специальности: 01.00.00
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Минск
• Количество страниц: 145 c. : ил

ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИИ (Обзор литературы)
1.1. Модельные представления радиационных процессов в кремнии и энергетические уровни дефектов
1.2. Термическая устойчивость РД в кремнии
1.3. Циклотронный резонанс носителей заряда в полупроводниках
1.4. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов в кристалле
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Выбор объектов исследования и приготовление образцов
2.2. Методика измерения циклотронного резонанса
2.3. Автодинный радиоспектрометр циклотронного резонанса
2.4. Определение времени релаксации импульса и эффективной массы носителей заряда
2.5. Методика гальваномагнитных измерений
2.6. Методика расчета концентрации и энергетического положения радиационных дефектов
ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ ВДКЛ0ТР0НН0Г0 РЕЗОНАНСА В ОБЛУЧЕННОМ КРЕМНИИ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Циклотронный резонанс в исходном
кремнии
3.2. Циклотронный резонанс в облученном кремнии
3.3. Концентрация и энергетические уровни радиационных дефектов в облученном кремнии
3.4. Влияние облучения на подвижность носителей заряда в кремнии
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОТЖИГА ОБЛУЧЕННОГО КРЕМНИЯ И ИХ ОБСЛЩЕНИЕ
4.1. Спектры ЦР носителей заряда в отожженном кремнии
4.2. Температурные зависимости концентрации носителей заряда в облученном кремнии при изохронном отжиге
ГЛАВА 5. СЕЧЕНИЕ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В ОБЛУЧЕННОМ КРЕМНИИ И ОБСУЖДЕНИЕ МЕХАНИЗМА РАССЕЯНИЯ
5.1. Эффективное сечение рассеяния
5.2. Эффективное сечение рассеяния электронов на А-центре
5.3. Сечение рассеяния на дивакансиях ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ ЛИТЕРАТУРА

Исследования кинетических процессов в полупроводниках являются важным средством получения информации как о структуре энергетического спектра носителей заряда, так и о механизме их рассеяния в полупроводниковом кристалле. Благодаря тому, что кинетические процессы в полупроводниках в сильной степени зависят от типа, количества и распределения примесей, взаимодействия носителей заряда с дефектами кристалла, а также очень чувствительны к изменениям температуры, напряженности электрического и магнитного полей, эти процессы являются физической основой применения полупроводников в современной технике. Поэтому в настоящее время исследования кинетических процессов в полупроводниках применяются как для решения теоретических вопросов, так и для разработки и усовершенствования методов прикладного использования полупроводников.
Одним из наиболее исследуемых материалов в современной физике полупроводников является, по-видимому, кремний. Интерес исследователей к кремнию объясняется в первую очередь необычайно быстрым и повсеместным распространением так называемой кремниевой технологии в изготовлении современных элементов твердотельной электроники. Кроме того, получение особо чистых и совершенных кристаллов кремния дает возможность проведения экспериментов,моделирующих многие физические процессы, протекающие в более сложных полупроводниковых соединениях.
Современная технология получения монокристаллов кремния с минимальным количеством контролируемых примесей и высокой степенью совершенства кристаллической решетки определила и роль кремния в исследованиях дефектов кристаллической структуры, как возникающих в процессе выращивания монокристалла, так и вводимых внешними воздействиями, в первую очередь облучением. Именно дефекты во многом определяют электрофизические свойства кристаллов, и поэтому по-

Рис.3.1. Спектр ЦР в кремнии. Н в плоскости (НО) под углом 20° к направлению /001/.