Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках

• Автор: Микла, Виктор Иванович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ужгород
• Количество страниц: 223 c. : ил

Глава I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ДЕФЕКТЫ.
1.1. Энергетическая структура ХСП
1.2. Природа "собственных" дефектов в стеклообразных As (S,SeL
Z v
1.3. Влияние примесей на физико-химические свойства
Глава 2. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ.
2.1. Изменения физико-химических свойств ХСП
под действием лазерной засветки
2.2. Реверсивные и нереверсивные изменения в ХСП.
2.3. Необратимые изменения в тонких пленках ХСП.
2.3.1. Структура стекла As^^S^SeJ^
2.3.2. Особенности спектров комбинационного рассеяния света в свеженапыленных регистрирующих слоях на основе AS2S3
2.3.3. Влияние состава на формирование
случайной сетки стекла
2.3.4. Влияние отжига и засветки на КРС Свеженапыленных пленок
2.3.4.1. Негативные ("квазиравновесные") слои
2.3.4.2. Взаимосвязь структурных особенностей и
. условий приготовления слоев из системы As-S
2.4. Исследование фотоиндуцированной кристаллизации селенидов мышьяка
2.5. Реверсивные фотоиндуцированные изменения.
2.5.1. Реверсивные фотоиндуцированные
. изменения и КРС в пленках As-S(Se)
2.5.2. Релаксация фотоиндуцированных изменений
2.5.2.1. Фотоиндуцированное поглощение
2.5.2.2. Релаксация фототока и поглощение при
импульсном возбуждении
2.5.3. Перезарядка локальных центров и реверсивные фотоиндуцированные изменения некоторых физико-химических параметров
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В СЛОЯХ ХСП.
3.1. Неизотермическая релаксация проводимости
3.1.1. Термостимулированная деполяризация в халькогенидном стекле: возможности и
пределы применимости метода
3.1.2. Фермостимулированная деполяризация и равновесная проводимость
3.1.3. Влияние интенсивной засветки на характер неизотермических релаксационных процессов
в халькогенидных стеклах
3.2. Исследование дрейфа носителей заряда в светочувствительных слоях халькогенидных стекол
3.2.1. Методика исследования дрейфовой подвижности
. . и определения времени пролета носителей
3.2.2. Транспорт носителей в стеклообразных халькогенидах мышьяка
3.2.3. Дефекты и дрейфовая подвижность в
свеженапыленных слоях AsSe
3.2.4. Расчет дрейфовой подвижности носителей
заряда в светочувствительных слоях ХСП
3.2.5. Оптическая запись и дрейф фотовозбужденных носителей
Глава 4. УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННЫМИ СВОЙСТВАМИ И
СВЕТОЧУВСТШТЕЛЬНОСТЫО ХСП.
4.1. Электрические и оптические свойства ХСП при
введении и изменении третьего компонента
4.I.I. Локализованные состояния в стеклах Cu-As-Se
4.1.2. Влияние замещения на электронно-дырочные
процессы в стеклах системы Си-Ав-Бе
4.2. Механизм фотоиндуцированных изменений.
4.2.1. Структурные (необратимые) изменения
4.2.2. Электронные процессы при фотоиндуцированных изменениях
4.3. Возможные пути улучшения глубины модуляции некоторых параметров слоев ХСП
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИМЕЧАНИЕ

В кристаллическом материале комбинационное рассеяние ограничивается сохранением квазиимпульса, т.е. процессами, в которых участвуют лишь оптические фонолы с волновым вектором близким к нулю. Указанное ограничение по волновому вектору ц =0 при переходе к неупорядоченным полупроводникам снимается: в стекле строго- определенный импульс возбуждений отсутствует и нормальные моды рассматриваются как почти локализованные. Вследствие этого разрешается взаимодействие с неактивными в кристалле модами, т.е. все колебательные моды аморфного твердого тела могут стать активными и в результате вместо дискретной линии может возникать целый непрерывный спектр рассеяния, вид которого (при условии, что матричные элементы перехода изменяются плавно) отражает общую форму однофо-нонной плотности колебательных состояний. Естественно, что степень сохранения процессов решеточного поглощения при переходе от упорядоченных кристаллических к неупорядоченным аморфным полупроводникам. зависит от конкретного материала.
Колебания, дающие вклад в спектр, качественно могут разложены на разные типы мод, характеризуемые, например, частотными режимами: низкочастотные акустические моды, среднечастотные (обусловленные изгибом связей) моды и высокочастотные, вызванные растяжением связей. Частоты последних определяются взаимодействием ближайших соседей, их комбинационной активности, локальной молекулярной симметрией.
Как уже упоминалось, фотоиндуцированные изменения физических свойств пленок халькогенидных стекол состоят из необратимой и реверсивной компонент, соотношение между которыми отличается для различных материалов [35] . Необратимая часть изменений в свежеприготовленных пленках ХСП согласно сложившимся модельным представлениям [190,194] обусловливается стимулированными воздействием