Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Автор:
Гим Гван Дё, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
221 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe | Магомедова, Патимат Мустафаевна | 1998 |
| Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs | Черкашин, Николай Анатольевич | 2002 |
| Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях | Кириллова, Светлана Ильинична | 1984 |