Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Автор:
Гим Гван Дё, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
221 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами | Васин, Сергей Вячеславович | 1999 |
| Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм | Астахова, Анастасия Павловна | 2004 |
| Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках | Воробьев, Юрий Васильевич | 1983 |