Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Автор:
Гим Гван Дё, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
221 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния | Александров, Олег Викторович | 2003 |
| Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур | Борисов, Сергей Николаевич | 2002 |
| Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий | Ларина, Эльвира Викторовна | 1999 |