Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Автор:
Гим Гван Дё, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
221 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия», автор — Гим Гван Дё, 0, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1984 году. Объем работы: 221 c. : ил. Внутренний код товара: 01003423634. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках | Петров, Дмитрий Викторович | 2010 |
| Термоэлектрические свойства гетерофазных структур | Пшенай-Северин, Дмитрий Александрович | 2003 |
| Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111) | Азатьян, Сергей Геннадьевич | 2008 |