Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия

• Автор: Гим Гван Дё, 0
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 221 c. : ил

Глава I. Влияние электрического и магнитного полей на
поглощение света в полупроводниках. Фогочувстви-тельность р-п-переходов. Н
§ 1.1. Край основной полосы поглощения полупроводников и
его изменение в электрическом поле
§ 1.2. Энергетические состояния в магнитном поле и магнитооптическое поглощение
§ 1.3. Теоретические выражения для фоточувствительности
электронно-дырочных переходов
Выводы
Глава II. Техника эксперимента. Исследование диффузионных длин избыточных носителей заряда в магнитном поле пб
§ 2.1. Методика изготовления р-п-переходов
§ 2.2. Методика измерений спектральных и вольтфэрэдных
характеристик р-п-переходов
§ 2.3. Получение и измерение магнитных полей
§ 2.4. Методика измерения диффузионной длины неосновных
носителей заряда
§ 2.5. Определение диффузионных длин неосновных носителей заряда. Исследование влияния магнитного поля на диффузионные длины электронов и дырок
Выводы
Глава III. Спектры коэффициента поглощения р-п-структур на
основе ангимонидэ индия
§3.1. Методика определения коэффициента поглощения в области энергии 1поо $

§ 3.2. Методика определения коэффициента поглощения в
области энергии
§3.3. Экспериментальные результаты по определению коэффициента поглощения
А. Область энергии
Б. Область энергии Ъьо ?
§ 3.4. Экспериментальные результаты определения коэффициента поглощения света в Ih.SE р-п-структурэх в магнитном поле
Выводы
Глава IV. Влияние электрического поля слоя объемного заряда на фоточувствительность 1п5Е п+-р--переходов вблизи края основной полосы поглощения
§ 4.1. Образцы для исследования
§ 4.2. Экспериментальное исследование влияния электрического поля на фоточувствигельносгь л+-р-
-перехрдов
§ 4,3. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами и литературными данными
Выводы
Глава V. Исследование спектров фототокв сурьмянистоиндиевых р-п-переходов в квантующих магнитных полях
§ 5.1. Постановка задачи
5.1.1. Условия проведения эксперимента
5.1.2. Образцы для исследования
5.1.3. Требования к геометрии р-п-структур
§ 5.2. Экспериментальные осцилляционные спектры фототокэ в
магнитном поле
§ 5.3. Изменение магнитооптического спектра фототока при
изменении обратного смещения на р-п-переходе
Выводы
Заключение
Литература

Растущие потребности народного хозяйства в новой технике стимулируют интенсивное развитие полупроводниковой электроники, микроэлектроники, опгоэлектроники. Для успешного решения задач, стоящих перед полупроводниковой техникой, необходимо совершенствовать технологию получения высококачественных полупроводниковых материалов и всесторонне изучать их свойства.
Исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках, во-первых, служит мощным источником получения важной научной информации об их зонной структуре, энергетическом положении примесных уровней, поведении неосновных носителей заряда, о влиянии электрических и магнитных полей, в том числе квантующих, на свойства изучаемых материалов и во-вторых, представляет большой практический интерес для непосредственного использования этих явлений в чувствительных малоинерционных приемниках электромагнитного излучения.
В качестве объектов исследования в настоящей работе выбраны структуры с р-п-переходом на основе энтимонида индия - замечательного полупроводника группы А5В5.
Сравнительно узкая ширина запрещенной зоны (~0,23 эВ при
г о
78К), высокая подвижность (до 10 см'т'В.с) и малые времена жизни ( Г = 10“У ГО'11) носителей заряда делают этот материал чрезвычайно подходящим для изготовления высокочувствительных быстродействующих приемников инфракрасного излучения спектрального диапазона 2,0 5,5 мкм, высокочувствительных датчиков магнитного поля
на основе эффекта Холла и магнетосопротивления, приборов криогенной электроники (для температур 78 ь 4 К) и опгоэлектроники.
Рис.2.1. Блок-схема экспериментальной установки.