Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Автор:
Гим Гван Дё, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
221 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия», автор — Гим Гван Дё, 0, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1984 году. Объем работы: 221 c. : ил. Внутренний код товара: 01003423634. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи | Нестоклон, Михаил Олегович | 2006 |
| Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS | Туэрди Умайэр | 2008 |
| Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур | Благов, Евгений Владимирович | 2001 |