Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Автор:
Казарян, Ваган Артаваздович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Фрязино
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения | Пивченко, Елена Борисовна | 1998 |
| Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах | Авачев, Алексей Петрович | 2007 |
| Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62 | Гусейнов, Самир Саиб Оглы | 1990 |