Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Автор:
Казарян, Ваган Артаваздович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Фрязино
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Двумерные соединения Tl-Sn, Tl-Pb и Au-Al на поверхности Si(111) | Тупчая Александра Юрьевна | 2018 |
| Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями | Баталов, Рафаэль Ильясович | 2004 |
| Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе | Рудь, Василий Юрьевич | 2005 |