Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами
- Автор:
Филатов, Павел Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 2002 |
| Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии | Николичев, Дмитрий Евгеньевич | 2009 |
| Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках | Игнатьев, Иван Владимирович | 2008 |