Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Автор:
Гацоев, Казбек Аркадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
181 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей», автор — Гацоев, Казбек Аркадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1983 году. Объем работы: 181 c. : ил. Внутренний код товара: 01003432625. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов | Прыкина, Елена Николаевна | 2002 |
| Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках | Логинова, Инга Дмитриевна | 1984 |
| Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах | Львов, Павел Евгеньевич | 2001 |