Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Автор:
Гацоев, Казбек Аркадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
181 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3 | Курбанов, Элмхан Мадад оглы | 1984 |
| Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов | Максимов, Михаил Викторович | 2009 |
| Магнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств | Горячев, Андрей Викторович | 2009 |