Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Автор:
Гацоев, Казбек Аркадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
181 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации | Якимов, Сергей Владимирович | 2005 |
| Структурные и оптические свойства пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников на основе S, Se и Te | Нежданов Алексей Владимирович | 2019 |
| Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия | Аккерман, Зиновий Лейбович | 1984 |