Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Автор:
Гацоев, Казбек Аркадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
181 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния | Хабарова, Ксения Юрьевна | 2006 |
| Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур | Нагорнов, Юрий Сергеевич | 2001 |
| Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ | Хорошилова, Маргарита Вячеславовна | 2007 |