Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
- Автор:
Гацоев, Казбек Аркадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
181 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений | Осинский, Андрей Владимирович | 1998 |
| Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур | Романов, Валерий Павлович | 1998 |
| Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением | Марков, Кирилл Александрович | 2002 |