Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Автор:
Хамидуллина, Наталья Мугалимовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
83 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото - фторид кальция - кремний (III) | Илларионов, Юрий Юрьевич | 2015 |
| Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями | Мусихин, Юрий Геннадьевич | 2000 |
| Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах | Каневский, Владимир Михайлович | 2013 |