Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Автор:
Хамидуллина, Наталья Мугалимовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
83 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием | Грозная, Елена Владимировна | 2008 |
| Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5 | Серебренникова, Ольга Юрьевна | 2011 |
| Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 2002 |