Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Автор:
Хамидуллина, Наталья Мугалимовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
83 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках», автор — Хамидуллина, Наталья Мугалимовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1984 году. Объем работы: 83 c. : ил. Внутренний код товара: 01003429252. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах | Амосова, Лариса Павловна | 1999 |
| Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 2002 |
| Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках | Думеш, Борис Самуилович | 2000 |