Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Автор:
Хамидуллина, Наталья Мугалимовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
83 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансные состояния в деформированных полупроводниках | Одноблюдов, Максим Анатольевич | 1998 |
| Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Чернышев, Андрей Викторович | 1983 |
| Тонкая структура нульмерных экситонов | Гупалов, Сергей Валерьевич | 1999 |