Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
- Автор:
Саблин, Виктор Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
184 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия | Пономарев, Иван Викторович | 2011 |
| Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов | Скворцов, Аркадий Алексеевич | 2004 |
| Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe | Фокша, Александр Яковлевич | 1984 |