Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Автор:
Гагис, Галина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
156 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм», автор — Гагис, Галина Сергеевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 156 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004994542. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6 | Хамидов, Марасилав Магомедович | 2006 |
| Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As | Акимов, Илья Андреевич | 2000 |
| Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур | Славова, Магдалена Ламбова | 1985 |