Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Автор:
Гагис, Галина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
156 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Явления электронного переноса при низких температурах | Пашаев, Хафиз Мир Джалал оглы | 1984 |
| Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами | Константинова, Елизавета Александровна | 2007 |
| Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов | Любинский, Илья Семенович | 2006 |