Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Автор:
Гагис, Галина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
156 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) | Добровольский, Александр Александрович | 2010 |
| Влияние ян-теллеровских ионов на электронные и упругие свойства электро- и магнитоупорядоченных оксидов металлов | Семенников Антон Владимирович | 2017 |
| Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами | Рахимов, Одил | 1984 |