Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Автор:
Гагис, Галина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
156 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм», автор — Гагис, Галина Сергеевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 156 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004994542. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов | Чаплыгин, Алексей Николаевич | 2007 |
| Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков | Гусейнов, Наби Гара оглы | 1984 |
| Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе | Вартанян, Роберт Серобович | 1984 |