Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Петров, Станислав Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия | Иванийчук, Мария Тимофеевна | 1984 |
| Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках | Абдуллаев, Магомед Абдуллаевич | 2006 |