Исследование туннельных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами методами спектроскопии адмиттанса
- Автор:
Иванова, Яна Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
160
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур | Шабунина, Евгения Игоревна | 2011 |
| Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы | Мосин, Юрий Викторович | 1998 |
| Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии | Зиновьев, Владимир Анатольевич | 2004 |