Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов

• Автор: Гасымов, Шафаг Гусейн оглы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 134 c. : ил

ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОМ СПЕКТРЕ И
КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ЦЕПОЧЕЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ АШВУ1 § I. Кристаллическая структура и электрические
свойства
§ 2. Оптические свойства
§ 3. Зонная структура
Постановка задачи
Глава II. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИИ
§ I. Электрические и оптические измерения
§ 2. Конструкции камер для измерений электрических и
оптических свойств кристаллов
§ 3. Методики создания и измерения гидростатического
давления
§ 4. Приготовление образцов и оценка погрешности
измерений
Глава III. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В КРИСТАЛЛАХ
КЭб ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИИ (ОБЛАСТЬ СОБСТВЕННОЙ ПРОВОДИМОСТИ)
§ I. Анизотропия эффекта Холла и электропроводности
кристаллов под давлением
§ 2. Интерпретация анизотропии эффекта Холла и электропроводности кристаллов НЭе на основе тео -ретических расчетов структуры энергетического спектра с привлечением представлений о проводи -мости неоднородного кристалла

§ 3. Смещение края фундаментального поглощения ТСве под действием гидростатического давления
Глава IV. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПРИМЕСНЫХ КРИСТАЛЛОВ Т£8е И ЕГО АНАЛОГОВ
§ I. Влияние давления и температуры на электропроводность и эффект Холла кристаллов ТСБе в области примесной проводимости. Определение бариче
ского коэффициента приведенного уровня Ферми
§ 2. Зависимость электропроводности и коэффициента
Холла кристаллов Гм Те , Т1Э от давления
§ 3. Электропроводность и эффект Холла в кристаллах
Т(6аТег, ТПп8ег под давлением
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ПРИЛШЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы.В последние годы значительно возрос интерес к исследованию физических свойств полупроводниковых соединений с сильной анизотропией кристаллической структуры. Это прежде всего относится к халькогенидам переходных металлов (/1о52,Мо$е2, №ег и др.), к слоистым полупроводникам групп АШВУ1 ( &а$е и его структурные аналогии), А^В^С^1 (Т{6а§2 ,Т1Ва§е^ Т{1п52 ). Исследование слоистых соединений привело к созданию элементов переключения и памяти. В Ga.Se обнаружено индуцированное излучение под действием быстрых электронов, генерация второй гармоники, преобразование излучения среднего инфракрасного (ИК) диапазона в видимое.
Особое место в ряду соединений с сильной анизотропией кристаллического строения занимают цепочечные полупроводники группы А^ВУ*~ структурные аналоги селенида таллия (ТМ ,Т11п$е2,
Т( ЁаТе2, 1пВаТег, 1пТе и др.). Характерной особенностью структуры их являются длинные отрицательно заряженные цепочки атомов вытянутые вдоль кристаллографической оси Т. . Связи между атомами внутри цепочек сильные ионно-ковалентного характера, в то время как между цепочками реализуется более слабая связь. Последнее является причиной того, что кристаллы легко скалываются вдоль оси 7. , практически не скалываясь в направлении перпендикулярном к ней. Анизотропия структуры повышает интерес к изучению анизотропии физических свойств цепочечных соединений. В этих кристаллах обнаружен пьезофоторезистивный эффект, они фоточувствительны в ближней ИК области спектра, применяются в качестве тензодат-чиков.
В сравнении со слоистыми соединениями группы А%у* физические свойства цепочечных А^В^ соединении мало изучены. Имеющиеся в литературе данные, касающиеся электрофизических свойств

Глава III ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В КРИСТАЛЛЯ ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИИ (ОБЛАСТЬ СОБСТВЕННОЙ ПРОВОДИМОСТИ) /83,84
В данной главе приводятся результаты исследования влияния температуры и гидростатического давления на кинетические свойства кристаллов Т{Бе с концентрацией носителей заряда 4.10^

см . Изучено также влияние гидростатического давления (до 8,4 кбар) на анизотропию электропроводности и коэффициент Холла кристаллов п-Пёе при комнатной температуре. Определены барические коэффициенты энергии активации проводимости. Показано, что экспериментальные результаты находят объяснение в рамках предположения о разупорядоченности кристалла селенида таллия.
§ I. Анизотропия эффекта Холла и электропроводности кристаллов под давлением.
В параграфе представлены результаты экспериментального изучения влияния температуры и гидростатического давления на анизотропию электропроводности и коэффициента Холла кристаллов И -Т1$е , типичнее для образцов с концентрацией носителей в интервале И =4.101^*бЛО'1м“'3.
На рис.10 приведены температурные (200-300 К ) зависимости электропроводности, измеренные при атмосферном давлении и пропускании тока вдоль оси "С" ( ) и перпендикулярно ей ( ).
На рис.II показаны зависимости 0), , и /?„ , Я± от давления, измеренные при комнатной температуре. Постоянная Холла соответствует случаю, когда магнитное поле направлено по оси "С", а ток направлен перпендикулярно оси "С" (ОаСчН ). соответствует случаю, когда ток направлен по оси "С", а магнитное поле