Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Автор:
Гасымов, Шафаг Гусейн оглы
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
134 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности | Тимошенко, Виктор Юрьевич | 2001 |
| Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита | Умрихин, Владимир Васильевич | 2000 |
| Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла | Девятов, Эдуард Валентинович | 2013 |