Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе
- Автор:
Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
112 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация | Сивакова, Ксения Петровна | 2009 |
| Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств | Сизов, Дмитрий Сергеевич | 2006 |
| Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе | Рудь, Василий Юрьевич | 2005 |