Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники

• Автор: Тимофеев, Максим Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 114 с. : ил.

Глава I. Особенности емкостных характеристик
современных полевых структур. Актуальные проблемы расчета и анализа.
§1.1 Пороговые свойства ПТШ структур с сильно
неоднородным профилем легирования.
§1.2 Анализ особенностей накопления поверхностного
заряда, обусловленных перезарядкой локализованных состояний.
§1.3 Самосогласованный расчет поверхностной
концентрации проводящих электронов с учетом перезарядки поверхностных состояний.
§1.4 Обобщение на случай квазинепрерывного спектра 48 ловушек. Эффективная подвижность и крутизна МОП-транзистора.
§1.5 Накопление заряда в гетеротранзисторах с
высокой подвижностью (НЕМТ). Квантовые поправки к результирующей емкости.
Глава II. Транспортные свойства квазидвумерных

электронных слоев в гетеротранзисторах.
§2.1 Особенности кулоновского рассеяния в квазидвумерных электронных слоях
гетеротранзисторов.
§2.2 Рассеяние квазидвумерных электронов на объемных акустических фононах. Аномальное концентрационное падение подвижности.
§2.3 Разогрев носителей в субмикронных каналах. Ультраквазигидродинамическая транспортная модель.
§2.4 Подавление ударной ионизации за счет электронной инжекции в объемный канал.
Заключение
Список литературы
Общепринято, что фантастические темпы развития и впечатляющие успехи микроэлектроники [1] лежат в основе современной научно-технической революции и стремительного роста информатизации не только производственных, но и социальных аспектов развития общества. Как известно, основой микроэлектроники являются так называемые интегральные технологии [2], обеспечивающие создание интегральных схем (ИС), характеризующихся огромным (10б-109) числом активных электрических элементов - транзисторов в одном кристалле сравнительно малой (порядка 1 см2) площади [3]. По типу основного активного элемента интегральные схемы и, соответственно, технологии разделяются на биполярные, в основе которых лежит биполярный транзистор с низкоомным, токовым управлением и полевые, базирующиеся на той либо иной конструкции так называемого полевого транзистора, высокоомно управляемого потенциалом его полевого электрода [4].
Уже на первых стадиях развития микроэлектроники в начале 70-х годов проявились определенные преимущества полевых, в частности, МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) технологий [5, 6] с точки зрения минимизации латеральных размеров, т.е. повышения уровня интеграции. Поэтому все последующие десятилетия МДП технологии развивались повышенными темпами и в настоящее время занимают доминирующее положение в микроэлектронной индустрии как по степени интеграции, так и по функциональным свойствам базового элемента транзистора, главным из которых является крутизна управления и

<}е, 10й см
У,В
Рис.1.10. Зависимость плотности свободного заряда МДП структуры с поверхностными состояниями (1-4) и без поверхностных состояний (5); экспоненциальному спектру поверхностных состояний соответствуют тонкие сплошные линии, ступенчатому - штриховые. Есй, эВ: 1 - 0.003,
2 - 0.013, 3 - 0.026, 4 - 0.052.