Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Автор:
Федоров, Михаил Иванович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
260 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si | Якушев, Максим Витальевич | 2011 |
| Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии | Аскинази, Анатолий Юрьевич | 2004 |
| Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа | Шевлягин, Александр Владимирович | 2019 |