Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111)

• Автор: Матецкий, Андрей Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Владивосток
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Формирование массивов С6о на поверхностях металлов и полупроводников
1.1 Введение
1.2 Фуллерены
1.3 С6о на поверхностях металлов
1.3.1 Адсорбция С во на поверхности золота
1.3.2 Адсорбция Сьо на поверхности серебра
1.4 С6о на кремнии
1.4.1 Адсорбция С6о на поверхность Si(l 11)
1.4.2 Адсорбция Сбо на поверхность Si(100)
1.4.3 Адсорбция С60 на реконструированные поверхности кремния
1.5 Выводы
2 Экспериментальные методы исследования и подготовка эксперимента
2.1 Введение
2.2 Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия
2.3 Экспериментальные условия
2.4 Выводы
3 Адсорбция фуллеренов С6о на поверхностные фазы системы In/Si( 111)
3.1 Введение
3.2 Реконструкции индия на Si(l 11)

3.2.1 Si(l 11 )y'3 x x/3-In
3.2.2 Si(l Il)2x2-I:i
3.2.3 Si(l Il)/7x ч/3-hex-In и Si(l 1 )y/7 x x/3-rec-In
3.3 Взаимодействие адсорбированных Ceo и точечных дефектов поверхностной реконструкции Si(lll)/3 x /3-1п
3.4 Адсорбция С60 на „гибкие“ индиевые фазы: 2 x 2-In, л/7 x /3-hex , %/7 х
/3-гес
3.5 Выводы
4 Адсорбция фуллеренов С60 на поверхностные фазы системы Au/Si( 111): Si(l 11)-а — х/З х ч/3-Au, Si(lll)-/i - %/3 x л/3-(Аи,1п)
4.1 Введение
4.2 Поверхностные реконструкции золота на Si(l 11)
4.2.1 Si(lll)-aV3x n/3-Au
4.2.2 Модификация Si(l 11)-а-%/3 х /3-Au, вызванная адсорбцией In
4.3 Модулированные слои фуллеренов Сбо на поверхности Si(lll)-a-/3-Au
4.4 Модулированные слои фуллеренов С60 на поверхности Si(l 1 l)-/i-%/3-(Au,In)
4.5 Выводы
5 Магические островки Сво
5.1 Введение
5.2 Самоорганизация фуллеренов С60 в островки магических размеров и формы, вызванная динамической муарной структурой
5.3 Выводы
Общие выводы
Список литературы

Введение
Актуальность работы Рост исследований в области нанотехнологий во многом связан с теми проблемами, которые ставила перед учеными и инженерами интенсивно развивающаяся технология кремниевой электроники. Увеличение мощности вычислительных приборов, их быстродействия, уменьшение стоимости - все эти задачи требовали всё более точных инструментов. До сих пор, для решения данных задач использовались технологии литографии - подход „сверху-вниз“, в рамках которого различными технологическими ухищрениями удавалось уменьшать размеры существующих кремниевых чипов. Успех данного подхода хорошо иллюстрирует „закон Мура“: последние 30 лет, каждые 18-24 месяца число элементов в чипе удваивалось. Однако, предполагается, что данный подход достиг своего физического предела. Это связано с тем, что при достаточно малых размерах функциональных элементов такие факторы, как квантовое туннелирование, чрезмерная диссипация энергии, флуктуация концентрации примесных атомов, начинают играть не последнюю роль. Всё это стало причиной поиска альтернатив нынешней технологии микроэлектроники, одной из которых является молекулярная электроника.
Технологии молекулярной электроники предполагают использование подхода „снизу-вверх“, когда создание структурных элементов цепи происходит путем самосборки их из молекул. Электронные свойства, структура, морфология, состав, размер и т.д. молекул как строительных блоков может при этом варьироваться в широких пределах. Помимо решения задачи получения молекул с заданными свойствами, которая лежит скорее в области химического синтеза, для реализации технологии молекулярной электроники необходимо изучить изменения, которые происходят в молекулах и подложке

с хемосорбции для чистого кремния на физосорбциию. Наряду с изменением периодичности и электронных свойств поверхности, это может значительным образом повлиять на процессы самоорганизации молекул.