Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей

• Автор: Нгуен Хуи Фук
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 171 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Концепция фазовой памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников
1.2. Современные типы устройств фазовой памяти
1.3. Халькогенидные сплавы, применяемые в современных устройствах фазовой памяти - оптических дисках различных форматов
1.4. Соединение С8Т225: структура, оптические, электрофизические и термоаналитические характеристики
1.5. Влияние легирующих примесей на структуру и свойства тонких
пленок материалов фазовой памяти
Выводы по главе
Глава 2. Экспериментальная часть
2.1. Методы получения образцов для исследования
2.2. Экспериментальные методики, использованные для диагностики тонких пленок: рентгенофазовый и элементный анализы
2.3. Методы изучения оптических характеристик тонких пленок
2.3.1. Спектроскопия комбинационного рассеяния света
2.3.2. Оптическое пропускание тонких пленок
2.3.3. Спектральная эллипсометрия
2.3.4. Методика расчета оптического контраста
Выводы по главе
Глава 3. Оптические и структурные свойства тонких пленок Се28Ь2Те
3.1. Диагностика тонкопленочных структур ОБТ
3.2. Спектроскопия КРС и интерпретация полученных результатов
3.3. Оптическое пропускание тонких пленок С8Т225 и результаты расчета оптических свойств
3.4. Оптическое пропускание тонких пленок 08Т124, 08Т147 и

результаты расчета их оптических констант
3.5. Оптические константы пленок С8Т
3.5.1. Спектральные зависимости показателя преломления и коэффициента экстинкции, расчет оптического контраста
3.5.2. Исследование морфологии тонких пленок методом атомного силового микроскопа
3.6. Обсуждение полученных результатов
Выводы по главе
Глава 4. Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок С8Т
4.1. Определение элементного и фазового состава пленок, легированных висмутом
4.2. Влияние висмута на структурные свойства тонких пленок в8Т
по данным спектров КРС
4.3. Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок 08Т225 по данным спектров оптического пропускания
4.4. Влияние висмута на оптические константы тонких пленок С8Т
по данным спектральной эллипсометрии
4. 5. Обсуждение полученных результатов
Выводы по главе
Глава 5. Влияние олова и индия на оптические свойства тонких пленок С8Т
5.1. Определение элементного и фазового состава аморфных пленок 08Т225, легированных оловом и индием
5.2. Влияние олова и индия на структурные свойства тонких пленок 08Т225 по данным спектров КРС
5.2.1. Спектры КРС тонких пленок, легированных 8п
5.2.2. Спектры КРС тонких пленок, легированных 1п
5.3. Влияние олова и индия на оптические свойства тонких пленок 08Т225 по данным спектров оптического пропускания

5.3.1. Спектры оптического пропускания тонких пленок, легированных 8п
5.3.2. Спектры оптического пропускания тонких пленок, легированных 1п
5.4. Влияние олова и индия на оптические константы тонких пленок ОБТ225 по данным спектральной эллипсометрии
5.4.1. Спектральные зависимости показателя преломления и коэффициента экстинкции тонких пленок, легированных 8п
5.4.2. Спектральные зависимости показателя преломления и коэффициента экстинкции тонких пленок, легированных 1п
5.5. Обсуждение полученных результатов
Выводы по главе
Основные выводы
Список литературы
Приложение

выполнены многие эксперименты, показавшие возможность получения модифицированных аморфных пленок при использовании в качестве
модификаторов таких элементов как с1-элементы, Со, N1, Мо, Бе, Си, Сс1,1л, Вц Бп [70]. В работе Андреева и других авторов [77] было получено прямое доказательство существования примесной проводимости в Аз28езА§х (х=0.06, 0.25).
В работе [66,70] автор так же упоминал еще другие возможность получения неупорядоченных материалов методом со-распыления
многокомпонентного стеклообразного материала состава Оез2Те328ез2Аз4 с никелем [78] на холодную подложку и возможность получения
модифицированных аморфных пленок при использовании в качестве
модификаторов таких элементов как Со, №, Мо, Бе, Си, Сс1,1л, Бп.
Из приведенных экспериментальных данных показано, что примесное электронное состояние в легированных ХСП существует, но достаточно сложно получить. Ниже приведена работа С.П. Вихрова, в которой удалось изменить тип проводимости системы Се-8е-В1 и Ое-8-В1 путем легирования В1. В работе [70] была сделана попытка вводить В1 в 8е и получить ХСП системы 8е1_хВ^. методом плавления. Результаты рентгеновского и электронного анализов показали что, присутствие более 2 ат.% В1 в селене обусловливает частичную кристаллизацию материала. Удельная электропроводность частично кристаллических образцов увеличивается на семь порядков по сравнению с чистым селеном, а знак термо-ЭДС для составов с содержанием более 3 ат. %. отрицательным. Для увеличения содержания В128е3 в ХСП в качестве исходного материала взяли многокомпонентные стекла с повышенной стеклоспособностью Се8е2+Аз28е3. В результате удалось ввести в состав ХСП 20 мол.% В128е3. Таким образом, в ХСП системы Аэ-8е-В1 удается ввести висмута до 4 ат.%. Частичная кристаллизация из-за термообработки приводит к изменению знака термо-ЭДС, с положительного на отрицательный и увеличению