Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Автор:
Шабунина, Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs | Михайлюк Екатерина Андреевна | 2016 |
| Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения | Быков, Алексей Александрович | 2011 |
| Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe | Низаметдинова, Мунира Анваровна | 1984 |