Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Автор:
Шабунина, Евгения Игоревна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза | Боженов, Александр Вячеславович | 2001 |
| Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания | Феклистов, Константин Викторович | 2011 |
| Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария | Соловьев, Сергей Михайлович | 2007 |