Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Титков, Илья Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов | Любинский, Илья Семенович | 2006 |
| Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Богословский, Никита Александрович | 2013 |
| Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок | Когновицкий, Сергей Олегович | 1999 |