Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Титков, Илья Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs», автор — Титков, Илья Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2001 году. Объем работы: 118 с. : ил. Внутренний код товара: 01002284985. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных | Вихров, Дмитрий Сергеевич | 2002 |
| Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe | Шахмин, Алексей Александрович | 2011 |
| Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов | Карзанова, Мария Вадимовна | 2013 |