Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Титков, Илья Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 : На примере ZnSe | Блинов, Владимир Викторович | 2003 |
| Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия | Комарницкая, Елена Александровна | 2000 |
| Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием | Манцевич, Владимир Николаевич | 2014 |