Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Титков, Илья Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами | Винников, Александр Яковлевич | 1983 |
| Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния | Трошин, Алексей Валерьевич | 2007 |
| Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами. | Фещенко, Игорь Сергеевич | 2002 |