Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Титков, Илья Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур | Токранов, Вадим Ефимович | 2000 |
| Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне | Рыбянец, Валерий Александрович | 1984 |
| Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников | Горбовицкий, Борис Моисеевич | 1983 |