Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
- Автор:
Пономарев, Иван Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия», автор — Пономарев, Иван Викторович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2011 году. Объем работы: 130 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005391209. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковый сульфид самария и тензорезисторы на его основе | Молодых Анатолий Андреевич | 2017 |
| Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников | Аблязов, Нурлан Насирович | 1984 |
| Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами | Фроленкова, Лариса Юрьевна | 2001 |