Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
- Автор:
Пономарев, Иван Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием | Али Рафик Мохамед Кассим | 2014 |
| Особенности контактных методов измерений кинетических коэффициентов анизотропных полупроводниковых структур | Заворотний, Анатолий Анатольевич | 2017 |
| Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии | Зиновьев, Владимир Анатольевич | 2004 |