Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
- Автор:
Пономарев, Иван Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения | Шайблер, Генрих Эрнстович | 2001 |
| Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах | Махмудиан Махмуд Максуд | 2003 |
| Когерентная и некогерентная динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами | Трифонов, Артур Валерьевич | 2016 |