Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
- Автор:
Росола, Иван Иосифович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ужгород
- Количество страниц:
216 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе | Абрамов, Алексей Станиславович | 2001 |
| Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний | Набок, Алексей Васильевич | 1984 |
| Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP2 , In x Ga1-x As и GaAs1-x Sb x | Власов, Алексей Сергеевич | 2003 |