Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
- Автор:
Росола, Иван Иосифович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ужгород
- Количество страниц:
216 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Поля дефектов и форма резонансных линий | Нурутдинова, Инна Николаевна | 1992 |
| Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях | Криворучко, Артем Александрович | 2006 |
| Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами | Рахимов, Одил | 1984 |