Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
- Автор:
Рабкин, Петр Беньяминович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Таллин
- Количество страниц:
237 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках | Эмиров, Юсуф Нурмагомедович | 2001 |
| Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка | Сибатов, Ренат Тимергалиевич | 2007 |
| Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии | Светлова, Наталья Юрьевна | 2002 |