Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP

• Автор: Кудрин, Алексей Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 152 с. : ил.

Список основных сокращений и обозначений
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ (А3,Мп)В5 И СОЕДИНЕНИЯ МпВ5: ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ И СВОЙСТВА (Обзор литературы)
1.1. Магнитные полупроводники типа (А3 ,Мп)В5
1.2. Дельта-легирование магнитной примесью
1.3. Ферромагнитные соединения МпАб и МпР
1.4. Аномальный эффект Холла
1.5. Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика получения структур сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления
2.1.1. Получение слоев магнитного полупроводника 1пМпАб
2.1.2. Получение слоев магнитного полупроводника ваМпАя
2.1.3. Формирование ваАя структур с дельта <Мп>-легированным слоем
2.1.4. Получение слоев МпАэ и МпР
2.2. Методы исследования свойств полученных структур
ГЛАВА 3. СВОЙСТВА СЛОЕВ 1пМпАь
3.1. Исследование транспортных и структурных свойств слоев 1пМпАз
3.1.1. Исследование структуры слоев
3.1.2. Магнитополевые зависимости сопротивления Холла
3.1.3. Изучение температурных зависимостей сопротивления слоев 1пМпДз
3.2. Параметры эпитаксиальных слоев ХпМпАб
3.2.1. Электрические характеристики
3.2.2. Магнитные свойства и их температурные зависимости
3.3. Обсуждение полученных результатов
3.4. Магниторезистивные свойствар-п структур ЫПпАбЛпАз
3.5. Выводы по главе
ГЛАВА 4. СВОЙСТВА СЛОЕВ ЄаАв, ОБЪЕМНО И ДЕЛЬТА -ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ
4.1. Исследование свойств слоев СаМоАв
4.1.1. Магнитополевые зависимости сопротивления Холлаи удельного сопротивления і
4.1.2. Изучение температурных зависимостей сопротивления слоев СаМпАя
4.1.3. Электрические характеристики слоев ОаМпАэ.:
4.1.4. Магнитные свойства и их температурные зависимости
4.2. Исследование свойств ОаАв с дельта<Мп>-легированным слоем
4.2.1. Исследование структуры слоев
4.2.2. Магнитополевые зависимости сопротивления Холла и удельного сопротивления структур ваАз с дельта<Мп>-легированным слоем
4.2.3. Изучение температурных зависимостей сопротивления ваАй с
дельта<Мп>-легированным слоем
4.2.4
4.2.5. Планарный эффект Холла
4.3. Обсуждение полученных результатов
4.4. Выводы по главе
ГЛАВА 5. СВОЙСТВА СЛОЕВ МпАя и МпР
5.1. Свойства слоев МпАэ
5.1.1. Магнитополевые зависимости сопротивления Холла и удельного сопротивления слоев МпАэ
5.1.2. Температурная зависимость сопротивления слоя МпАэ
5.2. Свойства слоев МпР
5.2.1. Магнитополевые зависимости сопротивления Холла и удельного сопротивления слоев МпР
5.2.2. Температурная зависимость сопротивления слоев МпР
5.2.3. Электрические характеристики слоев МпР
5.2.4. Магнитные свойства слоев МпР

5.3. Обсуждение полученных результатов
5.4. Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Благодарности
Публикации по теме диссертации
Список цитируемой литературы

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика получения структур сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления
Структуры, исследуемые в данной работе, получены методом лазерного распыления в газовой атмосфере или комбинированным методом лазерного распыления и МОС - гидридной эпитаксии. Ростовой процесс проводился в реакторе МОС - гидридной эпитаксии. Данный метод для получения полупроводниковых структур, обладающих магнитными свойствами, используется впервые. Схематическое изображение ростовой установки представлено на рис. 2.1. Основными элементами установки' являются: горизонтальный кварцевый реактор, система подачи газов (газа — носителя водорода и гидридов, являющихся источниками Аз и Р), лазерная система распыления мишеней.
Аттенюатор
Рис. 2.1. Схема комбинированной установки МОС - гидридной эпитаксии и лазерного распыления.