Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Горн, Дмитрий Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
175 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кр-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами | Миронова, Мария Сергеевна | 2014 |
| Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников | Мишустин, Владислав Геннадьевич | 2008 |
| Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами | Винников, Александр Яковлевич | 1983 |