Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Горн, Дмитрий Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
175 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) | Матецкий, Андрей Владимирович | 2012 |
| Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках | Овчаров, Владимир Викторович | 2006 |
| Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами | Кудряшов, Владимир Евгеньевич | 2001 |