Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Автор:
Ушаков, Виктор Валентинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1985
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
194 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния | Тонких, Александр Александрович | 2005 |
| Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией | Горшков, Алексей Павлович | 2006 |
| Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe | Милованова, Оксана Александровна | 2010 |