Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Автор:
Салихов, Хафиз Миргазямович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
278 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода», автор — Салихов, Хафиз Миргазямович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 278 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004916874. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур | Зубков, Василий Иванович | 2007 |
| Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия | Светухина, Ольга Сергеевна | 2004 |
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |