Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Автор:
Симашкевич, Андрей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
226 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н | Константинов, Андрей Олегович | 1984 |
| Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений | Яскевич, Тамара Михайловна | 2013 |
| Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда | Цацульников, Андрей Федорович | 2019 |