Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Автор:
Симашкевич, Андрей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
226 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе | Николаенко, Андрей Евгеньевич | 2006 |
| Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе | Хвостиков, Владимир Петрович | 2003 |
| Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N | Жмерик, Валентин Николаевич | 2012 |