Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3

• Автор: Симашкевич, Андрей Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Кишинев
• Количество страниц: 226 c. : ил

Глава I. Контактные явления в структурах на основе халь-когенидных стеклообразных полупроводников.
(Обзор литературных данных)
1.1. Электрические свойства сульфида мышьяка и сульфида сурьмы
1.2. Контактные явления на границе ХСП-металл
1.3. Гетеропереходы и гетероструктуры на основе ДСП
1.3.1 Общие положения
1.3.2 Кристалл А^-ХСП
1.3.3 Кристаллический кремний - ХСП
1.3.4 ХСП-ХС1Ї
1.4. Выводы и постановка задачи
Глава II. Технология получения слоев и гетероструктур на
основе ХСП
2.1. Получение слоев и гетероструктур на основе ХСП
2.2. Аппаратура и медики измерений
Глава III. Электрические и фотоэлектрические характеристики контакта металл-аморфный полупроводник
3.1. Модель структуры с двойной обедненной областью
3.2. Вольт-амперные характеристики
3.3. Емкостные характеристики
3.3.1 Зависимость емкости структуры от частоты
3.3.2 Зависимость емкости структуры от температуры
3.3.3 Зависимость емкости от напряжения смещения (вольт-фарадные характеристики)

3.4. Фото-эдс на контактных барьерах структур
М-ХСП
3.5. Обсуждение результатов
Выводы по главе
Глава ІУ. Электрические и фотоэлектрические свойства
гетероструктур ХСП-ХСП
4.1. Пленочные гетероструктуры в системах записи
информации
4.2. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры
4.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
4.3.1 Фото-эдс
4.3.2 Спектры фототока
4.3.3 Нестационарный инжекционный ток в гетероструктурах
4.3.4 Вольт-амперные характеристики
4.3.5 Вольт-фарадные характеристики
4.4. Заключение
Глава V. Исследование гетеропереходов Z«Se-XCH
5.1. Особенности гетеропереходов ZhSe-ХСП
5.2. Спектры фотопроводимости и фото-эдс
5.3. Вольт-амперные характеристики
5.4. Емкостные характеристики
5.5. Обсуждение результатов по 5 главе
Выводы
Заключение
Литература
Приложение

Открытие в 1954 г. ленинградскими учеными Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой халъкогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) привело к разработке ряда новых приборов на их основе в таких важных отраслях техники как телевидение, электрофотография, фототермопластическая запись, электронно-вычислительная техника, интегральная оптика. ХСП присущи высокая фото-чувствительность в сочетании с низкой темновой проводимостью, что позволило эффективно использовать эти материалы в мишенях видиконов, в качестве электрофотографических (ЭФ) и фототер-мопластических (ФТД) носителей для записи оптической информации. Дальнейшее улучшение параметров достигается путем создания многослойных структур за счет разделения функций между слоями, что значительно расширяет круг применяемых материалов. Использование гетероструктур (ГС) ХСП-ХСП или кристалл-ХСП с тонким слоем стеклообразного полупроводника в качестве фото-чувствительного или блокирующего элемента структуры дает положительные результаты при решении задач расширения спектра, повышения фоточувствительности, улучшения темновых характеристик. Приборы должны быть снабжены электрическими контактами, при этом на границах раздела металл-ХСП (М-ХСП), а в случае многослойных структур и между двумя полупроводниками, возникают потенциальные барьеры, которые оказывают влияние на транспортные и генерационно-рекомбинационные характеристики структур. Однако, контактные явления на границах М-ХСП, ХСП-ХСП, кристалл-ХСП исследованы недостаточно. До настоящего времени сведения о характере контактов М-ХСП остаются противоречивыми.

Рис. 2.1 Конфигурация исследованных в работе образцов. I - стеклянная подложка, 2 - полупрозрачный нижний электрод, 3- слой ХСПр 4 - слой ХСП2» полупрозрачный верхний электрод.