Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Автор:
Симашкевич, Андрей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
226 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3», автор — Симашкевич, Андрей Алексеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Кишинев в 1984 году. Объем работы: 226 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433099. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения | Быков, Алексей Александрович | 2011 |
| Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния | Решанов, Сергей Александрович | 2000 |
| Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм | Лившиц, Даниил Александрович | 2000 |