Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Автор:
Симашкевич, Андрей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
226 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3», автор — Симашкевич, Андрей Алексеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Кишинев в 1984 году. Объем работы: 226 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433099. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров | Чалдышев, Владимир Викторович | 1999 |
| Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV | Зерова, Вера Львовна | 2006 |
| Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами | Черкова Светлана Глебовна | 2018 |