Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Автор:
Симашкевич, Андрей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Кишинев
- Количество страниц:
226 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te | Дьяков, Сергей Николаевич | 2000 |
| Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N | Баранов, Артем Игоревич | 2019 |
| Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP | Ахмедов, Давронали | 1982 |