+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов

  • Автор:

    Рудинский, Михаил Эдуардович

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2013

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    144 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Содержание
Введение
Глава 1. Компьютерное моделирование CV-характеристики контакта электролит-полупроводник с учетом квантово-механических эффектов и существования состояний на границе раздела
1.1. Обзор литературы
1.1.1. Дифференциальная емкость контакта полупроводник-электролит
1.1.2. Применение компьютерного моделирования для анализа емкостных измерений полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными слоями
1.1.3. Постановка задачи
1.2. Моделирование CV-характеристик контактов электролит-полупроводник, МДП-структур и диодов Шоттки
1.2.1. Использование самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера для расчета CV-характеристик
1.2.2. Численное решение самосогласованной системы уравнений Пуассона и Шредингера
1.2.3. Программа СV Simulator
1.2.4. Аналитический расчет классической CV-характеристики диода Шоттки на вырожденном полупроводнике п-типа
1.3. Основные результаты и выводы
Глава 2. Вольт-емкостная характеристика контакта электролит - вырожденный n-InN
2.1. Введение
2.1.1. Поверхностная аккумуляция электронов в эпитаксиальных слоях n-InN
2.1.2. Постановка задачи
2.2. Расчет CV-характеристик контакта вырожденный полупроводник-электролит с учетом квантовых эффектов в области аккумуляции
2.3. Вольт-емкостные характеристики системы электролит - n-InN и электронные состояния на границе раздела
2.4. Основные результаты и выводы
Глава 3. Исследование электронных свойств анодного окисла и его влияния на приповерхностные слои полупроводника в системе электролит - n-InN
3.1 Введение
3.1.1. Обзор литературы
3.1.2. Постановка задачи
3.2. Электростатический потенциал поверхности эпитаксиальных слоев n-InN и его изменение при анодном окислении
3.3. Влияние толщины анодного окисла на электронные свойства поверхности n-InN
3.4. Основные результаты и выводы
Глава 4. Исследование электронных свойств контакта электролит - n-GaN и - n-lnGaN
4.1. Введение
4.1.1. Обзор литературы
4.1.2. Постановка задачи
4.2. Электронные состояния на границе раздела электролит - n-GaN и - n-InGaN
4.3. Основные результаты и выводы
Глава 5. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в НЕМТ- гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs

5.1. Введение
5.1.1. Краткий обзор литературы
5.1.2. Постановка задачи
5.2. Эксперимент
5.3. Анализ данных эксперимента
5.4. Основные результаты и выводы
Заключение
Литература

Введение
Наука о контакте поверхности полупроводника с электролитом образовалась в результате объединения знаний о выпрямляющем контакте полупроводника с металлом и о существовании двойного электрического слоя в электролите, контактирующем с металлическим электродом. Первые исследования выпрямляющих свойств контакта металл-полупроводник обычно приписывают Ф. Брауну (F. Braun), обнаружившему в 1874 г. зависимость полного сопротивления контактов от полярности приложенного напряжения и особенностей их изготовления [1]. Практическое использование выпрямляющих свойств точечного контакта началось с 1904 г. [2]. В 1931 г. А. Вильсон (A. Wilson) построил теорию переноса заряда в полупроводниках, основанную на зонной теории твердых тел [3]. Впоследствии эта теория была применена к контактам металл-полупроводник. В 1938 г. В. Шоттки (W. Schottky) высказал предположение, что потенциальный барьер создается неподвижным пространственным зарядом в полупроводнике, а не за счет возникновения между металлом и полупроводником промежуточного химического слоя [4]. Такой барьер называют барьером Шоттки [5].
Первая модель области электролита вблизи его контакта с поверхностью металла была предложена Г. Гельмгольцем (Н. Helmholtz) в 1853 году [6]. Немецкий физик предположил, что на поверхности металла существует монослой адсорбированных ионов, который можно математически описать как обыкновенный конденсатор. Впоследствии этот слой был назван именем своего первооткрывателя. В начале XX века Л.Г. Гун (L.G. Gouy) [7,8] и Д. Чэпмен (D. Chapman) [9] разработали диффузионную модель, в которой электрический потенциал экспоненциально падал по мере удаления от поверхности электрода. Однако

1.2.3. Программа CV Simulator.
В рамках описанной одномерной модели программа CV Simulator позволяет рассчитывать ход потенциала в заданной полупроводниковой гетероструктуре, а также положение уровней энергии, волновую функцию и распределение электронной плотности для каждого из этих уровней в области образца, где имеется размерное квантование. При этом расчетная структура может состоять из более чем 100000 слоев, и в ней может находиться более 100 энергетических уровней размерного квантования. Помимо этого любой слой может содержать до четырех массивов локализованных электронных состояний с гауссовым распределением по энергии. Описание модельной структуры хранится в специальном файле, который содержит две группы параметров: общие для всей гетероструктуры параметры и параметры каждого полупроводникового слоя, входящего в состав структуры:
Общие параметры расчетной структуры:
• Температура
• Границы решения уравнения Шредингера
• Количество слоев в гетероструктуре Индивидуальные параметры полупроводникового слоя:
• Толщина
• Эффективная масса электрона
• Относительное положение дна зоны проводимости
• Положение донорного уровня
• Концентрация доноров
• Диэлектрическая проницаемость слоя
• Количество массивов локализованных электронных состояний

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.107, запросов: 967