Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии

• Автор: Боримскмй, Виталий Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 149 c. : ил

Глава I. РАСПАД ТВЕРДОГО РАСТВОРА КИСЛОРОДА В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И В ЛЕШИЕ КИСЛОРОДНЫХ КОМПЛЕКСОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭТОГО МАТЕРИАЛА

§ 1.1. Некоторые свойства кислородных и углеродных

атомов в кристаллах кремния

§ 1.2. Обусловленные кислородом доноры в кремнии,

термообработанном в диапазоне температур 300350°С

§ 1.3. Обусловленные кислородом донорные центры в

кремнии и преципитация кислорода при термообработках в диапазоне температур 550 - 900°С

Глава 2. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1. Характеристики исходных кристаллов

§ 2.2. Измерение концентрации кислорода и углерода в

кристаллах кремния

§ 2.3. Подготовка образцов и проведение термообработок
§ 2.4. Установка для измерения времени жизни носителей тока и концентрации монополярных рекомбинационных центров
§ 2.5. Определение концентрации кислородных рекомбинационных центров в кристаллах кремния
Глава 3. СТРУКТУРА, ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ ОБУСЛОВЛЕННЫХ
КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ ПШ ТЕРМООБРАБОТКАХ В ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР 350 - 600°С

§ 3.1. Кинетика образования рекомбинационных центров в кремнии, содержащем кислород, при прогреве
с температурой 450°С
§ 3.2. Зависимость концентрации рекомбинационных термоцентров, образующихся при температуре 450°С, от концентрации кислорода в кристаллах
§ 3.3. Теоретическая модель. Кинетическое уравнение реакции образования-разрушения кислородного рекомбинационного центра и его состав
§ 3.4. Влияние термообработки при температуре 350°С
на состав и концентрацию щ(о}
§ 3.5. Кинетика отжига кислородных рекомбинационных центров в кремнии в диапазоне температур 500600°С
§ 3.6. Зависимость концентрации рекомбинационных тер-моиентров от концентрации диспергированного кислорода в кристаллах кремния в диапазоне
температур 500 - 600°С
§ 3.7. Кинетическое уравнение распада и образования кислородных рекомбинационных термоцентров.
Энергия активации образования центров
Краткие выводы
Глава 4. ОБРАЗОВАНИЕ, РАСПАД И СОСТАВ НОВЫХ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ, ТЕРМООБРАБОТАННОМ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ ОТ
ДО 800°С
§ 4.1. Кинетика образования новых обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров

§ 4.2 § 4.
Глава
§ 5.1 § 5.2 § 5
В Ы В О ЛИТЕ
. Влияние кислорода и температуры отжига на новые обусловленные кислородом рекомбинационные термоцентры
. Кинетическое уравнение образования и разрушения
РЦ(о)-2. Состав центров
Краткие выводы
. ВЛИЯНИЕ УГЛЕРОДА И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ОТЖИГА НА ОБРАЗОВАНИЕ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ТЕРМОЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ
. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров при
450°С
. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров, образующихся при 650°С
. Влияние предварительного отжига при температуре 450°С на образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при термообработке с температурой 650°С
Краткие выводы
Д Ы
Р А Т У Р А

Величина А = - амплитуда медленной
компоненты в релаксации избыточной концентрации носителей. Величина , то есть концентрация РЦ(о), в рассматриваемом случае, равна значению А Ир, то есть концентрации электронов рекомбинирующих через ЕЦ^О) (см.2.4), на участке насыщения зависимости А Н-р от уровня возбуждения.
В данной работе концентрация обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии /^-типа измерялась по участку насыщения на зависимости концентрации электронов рекомбинирующих через эти центры АПр от уровня возбуждения (см. рис.2.4), при достаточно низкой температуре (уровень Ферми лежал выше уровня, создаваемого изучаемыми центрами). Суммарная погрешность измерения концентрации центров при условии 10^ см"^ не превышала + 20%.
Минимальная величина концентрации центров, которую можно было измерить, составляла <У- 2 * 10^ см~^.