Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах
- Автор:
Рындина Татьяна Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
150
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах», автор — Рындина Татьяна Сергеевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2018 году. Объем работы: 150. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge | Блошкин, Алексей Александрович | 2011 |
| Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS | Парамонов, Андрей Викторович | 2005 |
| Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов | Павленко, Максим Николаевич | 2006 |