Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках

• Автор: Мицук, Сергей Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Липецк
• Количество страниц: 132 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Обзор литературных данных
§ 1.1. Особенности явлений переноса в анизотропных полупроводниках
§ 1.2. Контактные явления в полупроводниках
§ 1.3. Методы измерения электрофизических параметров полупроводников
§ 1.4. Гальваномагнитные явления в полупроводниках
Выводы и результаты первой главы
Глава 2. Резистивные явления в ограниченных анизотропных полупроводниках
§ 2.1. Теоретический расчет распределения электрического потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках
§ 2.2. Анализ вихревых токов анизотропии
§ 2.3. Поперечное напряжение анизотропии и его анализ
2.3.1. Поперечное напряжение анизотропии в прямоугольных образцах
2.3.2. Поперечное напряжение анизотропии в круглых образцах
§ 2.4. Особенности распределения тока проводимости в анизотропных полупроводниковых образцах
Выводы и результаты второй главы

Глава 3. Гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках..53 § 3.1. Эффект Холла в ограниченных анизотропных полупроводниках
3.1.1. Формулировка краевой задачи для потенциала электрического поля
3.1.2. Решение краевой задачи для потенциала электрического поля
3.1.3. Анализ решения краевой задачи для потенциала. Моделирование хол-ловского поля
§ 3.2. Эффект Холла в ограниченных анизотропных кристаллах и пленках с произвольной ориентацией кристаллофизическх осей
3.2.1. Формулировка краевой задачи для потенциала электрического поля
3.2.2. Решение краевой задачи для потенциала электрического поля
3.2.3. Модель холловского поля
§ 3.3. Эффект Холла в анизотропных полупроводниковых образцах с металлическими контактами
§ 3.4. Эффект магнитосопротивления в ограниченных изотропных полупроводниках
3.4.1. Формулировка краевой задачи для потенциала электрического поля в образце, помещенном в магнитное поле
3.4.2. Решение краевой задачи для потенциала электрического поля
3.4.3. Анализ решения краевой задачи. Моделирование электрического поля в образце
§ 3.5. Эффект магнитосопротивления в ограниченных анизотропных полупроводниках
3.5.1. Формулировка краевой задачи для потенциала электрического поля в анизотропномобразце, помещенном в магнитное поле
3.5.2. Решение краевой задачи для потенциала электрического поля
3.5.3. Методика совместного измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и относительного магнитосопротивления
Выводы и результаты третьей главы
Глава 4. Исследование свойств контакта металл-полупроводник
§ 4.1. Капельный метод электрохимического осаждения контактов металл-полупроводник
4.1.1. Экспериментальная установка по нанесению металлических контактов
4.1.2. Методика измерения сопротивления контактов
4.1.3. Компьютерное моделирование распределений электрического поля и линий тока
4.1.4. Измерение Э.Д.С. Холла
§ 4.2. Сопротивление контактов металл-полупроводник круглого полупроводникового образца
4.2.1. Расчет распределения потенциала электрического поля
4.2.2. Контроль удельной электропроводности полупроводникового образца
4.2.3. Компьютерное моделирование электрического поля в ограниченных полупроводниковых образцах
§ 4.3. Сопротивление растекания к цилиндрическому полупроводниковому образцу
4.3.1. Теоретический расчет распределения потенциала
4.3.2. Компьютерное моделирование электрического поля в ограниченных полупроводниковых образцах
4.3.3. Сопротивление растекания к прямоугольному полупроводниковому анизотропному" образцу
§ 4.4. Экспериментальные результаты
Выводы и результаты четвертой главы
Заключение
Литература

Решение краевой задачи представим в виде ряда Фурье в комплексной форме [144]
Ф(х,у) = £х„(х).е', (2.9)

где Р„ = п п1Ъ, п - 0, ± 1, ± 2,
Подставив ряд (2.8) в выражение (2.6) получим уравнение для нахождения Хп(х) [145]

± + 2фпоху?--$2поууХп=0.
Введем обозначения

СТ0 - л1ахх°
У1=—. У2
®хх хх
Из (2.7) получаем граничные условия для Х„(х)

-ПУфпХп
21п®„ 5Ш(М)
«»(РАг) ;

„ аггМ В „в
л=0, а хх г п
1, пф 0;
1 п — 0,±1,±2,±3,
? » = <>;
Общее решение уравнения (2.10) имеет следующий вид
Х„(х) = (Апе~х +Впех)е
~'РвТ1*
(2.10)
(2.11)
(2.12)
(2.13),
(2-14) *
в котором Ап и Вп - постоянные интегрирования, определяемые условиями (2.11)-(2.12).
Решение уравнения (2.10) с граничными условиями (2.12) позволяет найти комплексный потенциал. Опуская весьма громоздкие математические преобразования, запишем окончательное выражение
с- Г ©„
ф(л-.г) = ~2/?2
:сЬ(р„у2х)е',3п*2 -е|р"
(у-ГЙ-о))
2вМо0 [р„8Ь(рлу2я)
-сЬ(р„у2(а-х)>'р (2.15)
Действительная часть комплексного потенциала (2.15) имеет смысл потенциала ф(х, у) электрического поля в области образца