Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Джадуа Мунир Хльайль
01.04.10
Кандидатская
2003
Воронеж
130 с. : ил
Стоимость:
499 руб.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ОКСИДНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК
1Л. Перколяционная модель
электропроводности в поликристаллических
оксидных полупроводниковых пленках
1.2. Структура оксидных полупроводниковых пленок
1.3. Влияние адсорбции газов на электрофизические характеристики оксидных полупроводниковых пленок
1.3.1. Формы адсорбции
1.3.2.Искривление энергетических зон
полупроводников при хемосорбции
1.3.3. Изотермы адсорбции
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Технологические способы получения
пленок диоксида олова
2.1.1. Метод магнетронного распыления
2.1.2. Метод гидролитического разложения
тетрахлорида олова
2.2.Легирование пленок диоксида олова
2.3. Плазмохимическое травление
2.4. Методики определения структурных
характеристик пленок диоксида олова
2.4.1 Измерение толщины
2.4.2 Исследование структуры пленок диоксида олова
2.4.3.Исследование микроструктуры пленок диоксида олова
2.4.4.Исследование электронной структуры пленок
диоксида олова
2.5.Методики электрофизических измерений
2.5.1. Измерение температурных зависимостей электропроводности
2.5.2. Измерение вольт - амперных характеристик
2.5.3. Измерение отклика пленок при адсорбции газов
2.5.4. Определение кинетических характеристик
сенсорных слоев методом Ван-дер-Пау
ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ АКТИВАЦИИ
ОТКЛИКА ПЛЕНОЧНЫХ СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР
3.1. Результаты плазмохимического травления
3.2. Результаты исследования микроструктуры
3.3. Результаты измерения электропроводности
Выводы к третьей главе
ГЛАВА 4. ОТКЛИК СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР МОДИФИЦИРОВАННОЙ ТОЛЩИНЫ
К РАЗЛИЧНЫМ ГАЗАМ
4.1. Влияние плазмохимического травления на отклик
пленок
4.2. Влияние легирования на отклик пленок
4.2.1. Введение донорных примесей в пленки
диоксида олова
4.2.2. Введение акцепторных примесей в пленки
диоксида олова
4.2.3. Характер изменения электропроводности модифицированных пленок после легирования
Выводы к четвертой главе
ГЛАВА 5. МЕХАНИЗМ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ СЕНСОРНЫХ СТРУКТУР МОДИФИЦИРОВАННОЙ ТОЛЩИНЫ
5.1. Вольт-амперные характеристики
модифицированных пленок
5.2. Энергия активации проводимости
5.3.Концентрация и подвижность носителей заряда
5.4.Модель структуры и электропроводности
сенсорных слоев
Выводы к пятой главе
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
^'ппг
Рис.9. Энергетическая схема полупроводника п-типа, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией акцепторных частиц на первоначально нейтральной поверхности.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей | Нгуен Хуи Фук | 2014 |
Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник | Тутов, Евгений Евгеньевич | 2008 |
Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления | Скопина, Вера Ивановна | 1985 |