Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN
- Автор:
Кузнецова, Яна Вениаминовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
79 с. : 60 ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками | Зайцев, Роман Владимирович | 2001 |
| Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия | Калюжный, Николай Александрович | 2011 |
| Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена | Пахомов, Сергей Васильевич | 1984 |