Исследование самоорганизации в структуре поверхности аморфного гидрогенизированного кремния модифицированным методом флуктуационного анализа

• Автор: Рыбина, Наталья Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Рязань
• Количество страниц: 144 с. : ил.

Оглавление
Список сокращений
Введение
Глава 1 Неупорядоченные полупроводники как перспективные материалы для создания самоорганизующихся систем
1.1 Проблемы современных технологий получения неупорядоченных полупроводников
1.2 Анализ методов исследования структуры неупорядоченных полупроводников
1.3 Анализ методов обработки изображений поверхности материалов, позволяющих изучать процессы структурообразования
1.4 Рассмотрение процессов структурообразования неупорядоченных
полупроводников с позиций теории самоорганизации
Выводы
Глава 2 Разработка модифицированного метода флуктуационного анализа для диагностики корреляционных свойств структуры поверхности материалов
2.1 Метод расчета СВИ как один из методов исследования структурной сложности профиля поверхности материалов
2.2 Описание метода ОБА и интерпретация его результатов на основе исследования модельных поверхностей различной степени упорядоченности
2.2.1 Особенности реализации метода БРА
2.2.2 Некоторые возможности метода ОБА
2.2.3 Двухмерная реализации метода БРА (2Б БРА) для исследования корреляционных свойств структуры поверхности
2.2.4 Апробация метода 2Б БРА на модельных поверхностях с целью интерпретации полученных графиков для определения степени упорядоченности структуры
2.2.5 Исследование модельной поверхности, построенной по принципу сходства с поверхностью неупорядоченного
полупроводника, методами 2Б ИБА и расчета СВИ
Выводы
Глава 3 Исследование шероховатости поверхности образцов неупорядоченных полупроводников зондовыми методами и анализ ее изменения в зависимости от параметров технологических режимов получения образцов
3.1 Обоснование выбора образцов и описание технологических режимов их получения
3.2 Исследование морфологии поверхности образцов а-БкН, полученных методом ТР, методами АСМ и РЭМ
3.3 Исследование шероховатости поверхности зондовыми методами и фазового состава методом рамановской спектроскопии образцов а-ДпН, полученных методом РЬИ
3.3.1 Исследование морфологии поверхности образцов а-ДпН, полученных методом РЬЭ, методами АСМ и РЭМ
3.3.2 Исследование образцов а-8пН, полученных методом РЬЭ, методом рамановской спектроскопии
3.4 Исследование морфологии поверхности образцов 1а-С, полученных
методом Р1ЛЗ, методами АСМ и РЭМ
Выводы
Глава 4 Диагностика корреляционных свойств структуры поверхности
экспериментальных образцов методами 2D ББА и расчета СВИ
4.1 Диагностика корреляционных свойств структуры поверхности образцов а-8пН, полученных методом ТР
4.1.1 Результаты обработки изображений поверхности образцов методом 2Б ЭРА
4.1.2 Результаты расчета СВИ для поверхности образцов

4.1.3 Анализ процессов самоорганизации структуры поверхности образцов в зависимости от параметров технологических режимов их получения
4.2 Диагностика корреляционных свойств структуры поверхности образцов а-81:Н, полученных методом РЫО
4.2.1 Результаты обработки изображений поверхности образцов методом 2В ОБА
4.2.2 Результаты расчета СВИ для поверхности образцов
4.2.3 Анализ процессов самоорганизации структуры поверхности образцов в зависимости от параметров технологических режимов их получения
4.3 Диагностика корреляционных свойств структуры поверхности образцов 1а-С, полученных методом Р1Л)
4.4 Перспективы развития технологии неупорядоченных материалов для получения заданных свойств
4.4.1 Стадийность структурообразования твердых тел
4.4.2 Возможные пути воздействия на формирование структуры неупорядоченных полупроводников во время роста
4.4.3 Модель роста а-БкН при осаждении из газовой фазы
Выводы
Заключение
Список литературы

где И(г) - множество точек, удаленных от данной точки /г(0) на расстояние г, а усреднение производится два раза по всем точкам /г(г) и по всем точкам изображения /г(0).

Рисунок 1.8 — Структурная диагностика поверхности с помощью корреляционного и вейвлет-анализа: а - исходное изображение рельефа поверхности; б — ее вейвлет-преобразование с характерными параметрами структур, полученными из анализа АКФ; в - АКФ [46]
На рис. 1.9 показаны графики парных корреляционных функций для образцов а-8і:Н, полученных методом магнетронного распыления при низком давлении [47].
По подобным графикам можно определить коэффициент шероховатости, описывающий поверхностную фрактальность, а также