Роль неравновесных состояний и релаксационных процессов при лазерном формировании полупроводниковых слоев

• Автор: Битюрин, Юрий Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Горький
• Количество страниц: 171 c. : ил

КОЛЛЕГ!'Я Г'К СССР

1ГйО'Г г,. > . ол Ыв.^"^/Г/ №

Р Ц I I А ВЫДАТЬ/ ИРЛОМ КАНДИДАТ у <ФЩ 'ОСОсГ НАУК Нан» Фтплслт ВАК ооСР

Глава I. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭРОЗИОННОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЭШ,

ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ

1.1. Лазерная плазма. Образование и разлет в

вакуум

1.2. Взаимодействие атомов и интенсивных атомар

ных потоков о поверхностью твердого тела

1.3. Экспериментальная установка и методы иссле-

; дования
1.A. Характеристики эрозионной лазерной плазмы
на стадии инерциального разлета в вакуум
1.5. Взаимодействие продуктов лазерной эрозии
с поверхностью твердого тела
1.6. Заключение
Глава II. ВЛИЯНИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ИОННЫХ ПОТОКОВ НА
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛОЕВ,
ФОРМИРУЕМЫЕ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОЙ ЭПИТАКСИИ
2.1. Диффузия в полупроводниках, ускоренная корпускулярными потоками (обзор работ)
2.2. Экспериментальная установка и методы
измерений
2.3. Модель подповерхностных процессов, стимулированных интенсивными потоками эрозионной лазерной плазмы
2.А. Диффузия мышьяка в кремний
2,5. Радиационно-стимулированная компенсация
проводимости в арсениде галлия

2.6. Заключение
Глава III. УЛУЧШЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПРИ
ИМПУЛЬСНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКЕ
3.1. Две модели импульсного лазерного отжига
3.2. Люминесценция арсенида галлия при импульсном
облучении лазером
3.3. Нагрев широкозонных полупроводников нано-секундными лазерными импульсами
3.4. Кристаллизация в поле упругих деформаций
3.5. Ориентирующее действие анизотропной деформации кристаллитов при росте пленок
а) селекция кристаллитов на стадии зародыше-образования
б) рекристаллизация в твердой фазе
3.6. Способы создания анизотропных деформаций
3.7. Деформационные поля на поверхности подложки
при импульсном лазерном нагреве
3.8. Экспериментальная проверка механизма ориентированного роста пленок
3.9. Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
К образованию соударительной области у поверхности
подложки.
падающий на подложу поток, ^ - встречный поток, образовавшийся в результате катодного распыления подложки.