Оптимизация переходных процессов в мощных транзисторах с изолированным затвором

• Автор: Москалев, Александр Витальевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 149 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1.МЕТОДЫ ОПТИМИЗАЦИИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
Е1 Классификация и эволюция методов снижения потерь и стрессовых нагрузок в импульсных преобразователях на мощных транзисторах с изолированным затвором
1.1.1 Потери и стрессовые нагрузки в схеме жесткого переключения
1.1.2 Активные и пассивные методы снижения потерь и стрессовых нагрузок
1.1.3 Эффективность методов мягкого переключения
1.2 Моделирование силовых полупроводниковых приборов
1.2.1 Моделирование мощного диода с р-п переходом
1.2.2 Моделирование мощных МДП - транзисторов
1.2.3 Моделирование БТИЗ
Выводы по разделу
2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В КЛЮЧАХ НА МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ В РЕЖИМЕ ЖЕСТКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
2.1 Аналитическая модель ПП включения в мощных транзисторах с изолированным затвором
2.1.1 Математическое описание ПП жесткого переключения во временной области
2.1.2 Временные аппроксимирующие функции
2.1.3 Мощность потерь переключения

2.2 Экспериментальное исследование ГІП жесткого переключения в мощных МДП-транзисторах и БТИЗ
2.2.1 Экспериментальное исследование ПП в повышающем преобразователе на основе МДП-транзистора ГОТ
2.2.2 Экспериментальное исследование ПП в повышающем преобразователе на основе БТИЗ ИЮ4ВС30\'Г
2.2.3 Практическая реализация ОС по току в повышающем преобразователе на ШТ
Выводы по разделу
3. ОПТИМИЗАЦИЯ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ И КИРП, ГЕНЕРИРУЕМЫХ ИМПУЛЬСНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
В РЕЖИМЕ ЖЕСТКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
3.1 Теоретическое исследование генерации КИРП в схемах жесткого переключения на мощных транзисторах с изолированным затвором
3.1.1 Проблемы ЭМС в области силовой электроники
3.1.2 Распространение КИРП. Синфазные и дифференциальные
помехи
3.1.3. Генератор периодических импульсов с конечными длительностями фронтов как источник помех
3.2 Разработка методики моделирования КИРІІ в схемах жесткого переключения на мощных транзисторах с изолированным затвором
3.2.1 Моделирование КИРП в 5Р1СЕ-совместимых программах. Проблемы

3.2.2 Методика численного моделирования КИРП в 8Р1С’Е-симуляторе программного пакета Огсас19.
3.2.3 Использование методики для моделирования ЭМС-характеристик повышающего преобразователя с помощью БРГСЕ-программы
3.3 Разработка методики оптимизации ПП в схемах жесткого переключения на мощных ТИЗ с целью улучшения энергетических и ЭМС -характеристик
3.3.1 Обоснование необходимости учета характера ПП в повышающем преобразователе для исследования его совместимости со стандартами ЭМС в области КИРП
3.3.2 Связь временных параметров ПП с энергетическими потерями и ЭМС
3.3.3 Моделирование суммарной КИРП в повышающем преобразователе с неидеальным фильтром питания при различных режимах управления переходными процессами
3.3.4 Теоретическое обоснование метода оптимизации ПП, использующего соотношение огибающих спектра
3.3.5 Примеры оптимизации повышающего конвертера
Выводы по разделу
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Рис. 1.7. Схема, поясняющая принцип резонансного переключения в понижающем преобразователе с РПНН