Особенности спектров резонансного вторичного излучения в полярных полупроводниках

• Автор: Белицкий, Владимир Игоревич
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 120 c. : ил

- <с
Г ~ тг 7? Р V' Л тт тл т?
V- 11» I /*1 _•! IX и. !!■

ГЛАЗА I. Введение ?! краткий обзор содержания
диссертации
Глава II.Лногойононное резонансное комбинационное рассеяние света в полярных полупроводниках в сильном магнитном поле
1. .введение
2. Амплитуда двухфононного РКРС в сильном магнитном поле. Приближение бесконечной массы дьгрки
3. Сечение ЫРКРС в произвольном сильном магнитном поле
4. Интерференционные эффекты в двухфононном РКРС в сильном магнитном поле ( —* °°)
5. РКРС второго порядка в случае произвольного соотношения между /те И 777^
6. Положение интерференционных резонансов в спектре РКРС второго порядка в зависимости от величины магнитного поля
Резонансное межзонное электронное и элек-трон-фононное комбинационное рассеяние
света
Сечение резонансного межзонного электронного КРС. Форма, резонансной линии
1 л
'ЛАВА

3. Различие между резонансным рассеянием и горячей люминесценцией
4. Электрон-фононное комбинационное рассеяние света
ГЛАВА. 17. Осцилляции сечения резонансного элек-трон-фононногс комбинационного рассеяния света в длинноволновой области спектра
1. Введение
2. Вычисление сечения рассеяния
3. Обсуждение результатов. Осцилляции сечения ЗЖРС

ГЛАВА I
ВВЕДЕНИЕ И КРАТКИЙ ОБЗОР СОДЕРЖАНИЯ ДИССЕРТАЦИИ
Явление комбинационного рассеяния света (КРС) было открыто Ландсбергом, Мандельштамом и Раманом 56 лет назад. Вскоре стало ясно, что открытый эффект представляет собой превосходный метод для исследования возбуждений молекул и молекулярной структуры. С 1940-х годов начались систематические исследования рассеяния света в монокристаллах с целью получения сведений о динамике решетки. Эти эксперименты были достаточно сложными, поскольку сечение рассеяния мало, а имевшиеся в распоряжении физиков источники света были слишком несовершенны. В первых исследованиях спектров КРС в полупроводниках с целью получения информации о спектре возбуждений электронной подсистемы возможности эксперимента ограничивались облучением кристаллов светом с частотой в области их прозрачности. При этом удавалось получить сведения лишь об электронных возбуждениях вблизи дна зоны проводимости.
Создание в 1960-х годах и быстрое развитие лазерной техники коренным образом изменило ситуацию, неизмеримо увеличив возможности эксперимента. Налаженное производство и доступность перестраиваемых лазеров на красителях, а также приборов для регистрации спектров КРС, привели к тому, что в течение последних десятипятнадцати лет число исследований по рассеянию света в конденсированной среде резко возросло. Тематика этих исследований широка и разнообразна (см., например, ^1—6^ ). Методы рассеяния света стали мощным инструментом исследования качественно новых объектов: легированных полупроводников, гетеро- и слоистых структур, аморфных веществ, магнитных кристаллов, а также сверхрешёток, поверх-

tfyiW)=(4**w +4K»V) '4 îg)v‘
^ 0а)«,"'3<4^И +4^ <|£)*
4 (la,*.*!) <4 ^ «*»> 44*
4 (ъ№)=(/м +4*te> ?*y*
M = We + "4.,
at"-)=A [^(V“1,? -Сп’-УгЗ^.« + l
[^(4 -и -2^^)]^
(5.3)
'LTïâ
Сооч^І +1 Ck2lb.^У/:г
s* ~ - ;
*А"0-4['40Н - mjsf4o - -
. ou fff») +?/(Я>. ■ Os. JIÇaOjJl^)1%
" L "“î Л V A Al , K< W = 4 [^64^ '^Ко -C«'+'4)^.H
_ ; ÜÜ. XtC”-) ÏIlÈÏ + ^ ^(Л> 4 rf(*9 "|

?M=£,[f (Jrj - t?-L
• m« ?*(*) 44; . fce(*)+//(*■} ]
~L v' à V X A
(5.4)