Многофононные оптические переходы в размерно-квантованных системах в магнитном поле.

• Автор: Брусенская (Гребенщикова), Елена Ивановна
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Тирасполь
• Количество страниц: 104 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие

Глава 1. Особенности оптических свойств квазидвумерных

систем во внешних полях

Г лава 2 Многофононные оптические переходы в области

собственного поглощения в размерно-квантованных системах в магнитном поле.

2.1. Введение

2.2. Постановка задачи. Общие соотношения

2.3. Обсуждение результатов. Сравнение теории

с экспериментом

Глава 3. Теория полуширины линии циклотронного резонанса и размерного резонанса в одиночных квантовых ямах
3.1. Введение
3.2. Теория циклотронного резонанса с учетом многофононных процессов в размерно-квантованных системах
3.3. Размерный резонанс в квазидвумерных системах
в продольном магнитном поле
Глава 4. Поглощение света в квазидвумерных системах в поле интенсивного лазерного излучения.
4.1. Введение
4.2. Магнетопоглощение в поле резонансного когерентного излучения. Постановка задачи
4.3. Теория магнетопоглощения света в поле сжатой резонансной электромагнитной волны
4.4. Межзонное поглощение в параболических квантовых ямах в режиме размерноинфракрасного резонанса

Заключение
Литература
Список публикаций по теме диссертации

Предисловие
В настоящее время большой интерес представляют исследования оптических и кинетических свойств квазидвумерных систем. Благодаря малой толщине таких систем движение носителя вдоль оси пространственного квантования является финитным, что безусловно изменяет его энергетический спектр. Поэтому, такие размерноквантованные структуры обладают уникальными свойствами по сравнению с объемными материалами и могут быть ИСПОЛьЗОВаны дли создания принципиально новых приборов в оптоэлектронике.
Современная технология с применением компьютерного контроля за затворами молекулярных пучков позволяет получить различный профиль потенциала квантовой ямы (КЯ). В работе [1] впервые была получена искусственная параболическая КЯ в структуре ОаАБ-АДСа, _ХА8. В экспериментальной работе [2] отчетливо наблюдалась люминесценция в параболической КЯ с высоких размерно-квантованных эквидистантных уровней. Для типичных параметров параболических КЯ GaAs-Al.xGai.xAS шаг пространственного квантования для электронов составляет

Йсое = эВ 6 с! 0 — толщина КЯ в ангстремах). Следовательно, при

Т < 70К размерно-квантованные уровни могут заметным образом влиять

на кинетические свойства квантовых систем уже при 6 = 2-10 А. Поэтому неудивительно, что исследование оптических свойств параболических КЯ, таких как межзонная люминесценция [3],[4] и

резонансное неупругое рассеяние света проводились при с!<2400А. Квадратичная зависимость потенциала КЯ очень интересна для теоретических расчетов, так как позволяет получать конечные результаты для исследуемых физических величин в аналитическом виде.

Частотная зависимость коэффициента поглощения света А'(О) в относительных единицах. Линия 1 соответствует Ы0 =0.01, линяя 2 вычислена при N п = 1.