Организационно-экономический механизм управления развитием системы качества предприятия

Организационно-экономический механизм управления развитием системы качества предприятия

Автор: Храпова, Ирина Васильевна

Шифр специальности: 08.00.05

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 300 с. ил.

Артикул: 301902

Автор: Храпова, Ирина Васильевна

Стоимость: 250 руб.

Организационно-экономический механизм управления развитием системы качества предприятия  Организационно-экономический механизм управления развитием системы качества предприятия 

1.1 Перспективы и проблемы развития электронной промышленности на примере производства полупроводников.
1.2 Анализ факторов и стратегий обеспечения конкурентоспособности продукции.
1.3 Система качества в реализации маркетинговых стратегий
предприятия. Л
Глава 2. Исследование и разработка методических основ оценки и развития системы качества предприятия. X
2.1 Анализ реализации концепций обеспечения качества на предприятии.
2.2 Теоретические основы диагностики состояния и выбора направления развития системы качества предприятия.
2.3 Особенности методологии учета и анализа затрат на качество на основе принципов контроллинга.
2.4 Методические основы формирования стратегии развития системы качества с учетом переходных процессов.
Глава 3. Орг анизационноэкономические аспекты развития системы качества на предприятии.
3.1 Основные составляющие организационноэкономического механизма развития системы качества и их роль в обеспечении конкурентоспособности продукции.
3.2 Особенности организации учета и анализа затрат на качество с целью развития системы качества. Пг
3.3 Эффективность использования организационноэкономического механизма развития системы качества на предприятии.
Заключение и выводы.
Введение


Среди ключевых направлений развития по этой программе есть и полупроводниковая промышленность. С крушением плановой экономики электронная промышленность оказалась оторванной от своего основною поставщика и заказчика государства. Как результат невероятная неразбериха и коллапс рыночного спроса. В такой среде импортные компоненты начали быстро замещать отечественные и бывшие монополисты вдруг обнаружили, что их доля на рынке изрядно сократилась. Растет доля импортных изделий и на полупроводниковом рынке. По оценкам, отечественные производители полупроводниковых приборов потеряли около рынка. Время показывает, что российским предприятиям электронной промышленности тяжело выжить в условиях жесткой конкуренции, которая возрастает с каждым годом со стороны зарубежных компаний. Крупнейшие зарубежные производители, такие как ii и i, заинтересованы в продвижении своей продукции на российский рынок С г. Российские производители вынуждены уступать свои позиции на отечественном рынке электроники, так как по важнейшему показателю цена качество их продукция не устраивает потребителей. Чтобы улучшить этот показатель, предприятия должны провести комплекс мероприятий но повышению качества продукции, а так же увеличить свой оборот для снижения накладных расходов. Западные же фирмы, чтобы завоевать отечественный рынок, устанавливают демпинговые цены на продукцию, аналогичную той, которую предлагают российские производители. Именно так в свое время компания ii завоевала рынок Польши, i Восточной Германии. Главным результатом этой ситуации стало разорение большинства предприятий и вынужденный переход оставшихся в живых к радикальной реструктуризации. В условиях интенсивной международной конкуренции наибольшее падение отмечалось в полупроводниковой отрасли. На территории России находилась большая часть фирм изготовителей полупроводниковых приборов бывшего СССР. Среди них насчитывалось около 0 предприятий, которые выпускали около тыс. Из них нее более остались на плаву, формируя ядро полупроводниковой промышленности второго поколения в России и СНГ. Однако изза специфики военного уклона производства они попрежнему отягощены технологическим отрывом от западных коллег в 4 5 поколений и поэтому пока не способны эффективно поддерживать отечественную промышленность. В табл. Из таблицы ясно видно отставание российских изделий от американских по техническим параметрам. Однако коэффициенты конкурентоспособности американских полупроводниковых приборов, изготовленных на пластинах диаметром 0 мм в год появления этих пластин в производстве см. Это связано со значительно более низкими экономическими характеристиками российских микросхем. Расчет проводился по методике, описанной в ,. В обозримом будущем отечественная микроэлектроника будет еще очень сильно отставать от западной. Причина этого малый объем производства, отсутствие поддержки со стороны государства, недостаток средств и иностранных инвестиций, вследствие недостаточности мер по их привлечению. В силу всего этого неудивительно особенно учитывая замедление роста мирового полу проводникового рынка в настоящее время. Таблица 1. Мировой и отечественный уровни микроэлектроники. Топологический размер мкм США 0. Россия 1. Нет иль. США 0К 2М 5. VI I. Плотность дефектов США 0. Россия 0. Себестоимость пластины США 3. Россия 0. I 2 1, 1. Россия 2 3 3 5
Габлииа 1. Расчет конкурентоспособное ИС. США и России на 0 мм пластинах в 1й год работы. Характеристики сравнения 1. Топологический размер ыкм а, 0,1 . США . X. 0,5 Р. Вентиль. Визкристалл, КАМ 0. К М 4. К 4М 2. Размер кристалла мм2 0. Плотность дефектов дефекгсм2 0, 0. Количество слоев 0. ПаЯб . Себестоимость пластины долл. Таблица 1. Расчет конкурентоспособности ИС, изготовленных в США и России на 0 мм пластинах в 5й год работы. Характеристики сравнения . I А . Х Р. X, Р. Топологический размер мкм 0. Вентилькристалл 0, 5. М . М . Би р кристалл. АМ 0. М 6. М 0. Размер кристалла мм 0, 0 . Плотность дефектов дефектем 0, 0, . Количсство слоев 0. О ,2 . Себестоимость пластины Д0ЯЛ. Кс итл1. К цд.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.542, запросов: 128