Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

• Автор: Якимова, Елена Владиленовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 133 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОСНОВЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МЕТОДА
ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ АЮаАэ СТРУКТУР (Обзор литературы)
1.1. Физические основы метода фотоэлектрического преобразования солнечного излучения
1.2. Основные методы выращивания эпитаксиальных
структур
1.3. Задачи диссертационной работы
ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ
СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В СИСТЕМЕ АЮа-Аз
2.1. Жидкофазная эпитаксия и ее низкотемпературная модификация
2.2. Технологическая установка для проведения жидкофазной эпитаксии
2.3. Особенности кристаллизации и легирования ОаАэ/АЮаАз
слоев при низких температурах
2.4. Влияние технологических параметров на характеристики
солнечных элементов
2.4.1. Влияние уровня легирования п и р-слоев и глубины
залегания р-п перехода на величину диффузионных длин неосновных носителей заряда, плотности тока и коэффициента собирания неосновных носителей заряда

2.4.2. Влияние широкозонного окна и просветляющего покрытия на фоточувствительность солнечного элемента
2.5. Постэпитаксиальная обработка гетероструктур
2.6. Методы измерения толщины, состава и уровня легирования ОаАз/АЮаАэ гетероструктур
2.6.1. Метод комбинационного рассеяния света
2.6.2. Метод эллипсометрии
2.6.3. Измерение спектральных характеристик
ГЛАВА III. ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
В СИСТЕМЕ АШа-Ав
3.1. АЮаАзАЗаАз солнечные элементы для преобразования неконцентрированного (1 солнце) солнечного излучения
3.1.1. Двухстадийная жидкофазная эпитаксия
3.1.2. Результаты исследования толщины, состава и уровня легирования СаАз/АЮаАз слоев с помощью метода комбинационного рассеяния света
3.1.3. Основные характеристики полученных солнечных элементов
3.2. Высокоэффективные солнечные элементы в системе АЮа-Ав для преобразования концентрированного космического
солнечного излучения
3.2.1 Методика получения гетероструктур
3.2.2. Исследование параметров гетероструктур с помощью метода комбинационного рассеяния
3.2.3. Характеристики полученных солнечных элементов
3.2.4. Исследование радиационная стойкости
3.3. Солнечные элементы в системе АЮа-Аэ для преобразования «наземного» солнечного излучения сверхвысокой концентрации
3.3.1. Технология получения гетероструктур
3.3.2. Контроль параметров полученных гетероструктур
3.3.3. Оптимизация конструкции солнечных элементов, преобразующих солнечное излучение сверхвысокой концентрации
3.3.4. Характеристики солнечных элементов
3.4. Двухпереходные солнечные элементы на основе ОаАэ/АЮаАз гетероструктур
3.4.1. Применение низкотемпературной жидкофазной эпитаксии для получения двухпереходных
монолитных каскадных гетероструктур
3.4.2. Исследование характеристик «нижнего» элемента каскада
3.4.3. Исследование характеристик «верхнего» элемента каскада
3.4.4. Исследование характеристик туннельного элемента

каскада
3.4.5. Монолитный двухпереходный солнечный
элемент
3.4.6. ОаАэ/АЮаАз солнечный элемент в составе механически стыкованного двухпереходного каскадного элемента
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Кассета

блок I Репид блок II блок III
Задатчик Редуктор Двигатель
температуры
Рис. 9. Принципиальная схема установки жидкофазной эпитаксии.