Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x

• Автор: Сидорчук, Стефания Федоровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Дрогобыч
• Количество страниц: 153 c. : ил

Глава I. СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ НА
ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ РТУТИ (Литературный
обзор)
§ І.І. Общая характеристика халькогенидов
ртути
§ 1.2. Сплавы халькогенидов ртути с бинарными
соединениями группы А -‘-В
§ 1.3. Общие физические свойства тройных
алмазоподобных полупроводников системы АІВІІІС^Ї
§ 1.4.'. Общая характеристика сплавов четверных
полупроводниковых соединений
§ 1.5. Сплавы халькогенидов ртути с тройными
соединениями А^В^С-р
§ 1.6. Дефекты решетки в халькогенидах ртути
и сложных соединениях на их основе
Выводы
Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1. Получение сложных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути
§ 2.2. Подготовка образцов для измерений
§ 2.3. Методика структурных исследований
§ 2.4. Методика электрических,оптических и
фотоэлектрических измерений
§ 2.5. Методика измерений длинновременных
релаксаций проводимости
§ 2.6. Погрешности измерений

Глава III. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
А1в1ПсЛ „ АПВУ1
§ 3.1. Кристаллическая структура
§ 3.2. Распределение состава по объецу слитков
§ 3.3. Электрические свойства (AgInTe2)x(2Ho,Te) j_x
§ 3.4. Спектральные характеристики фотопроводимости в области края собственного поглощения
§ 3.5. Фотопроводимость в (AgInTe2)x(2HgTe)j-x.
Экспериментальные результаты
§ 3.6. Обсуждение экспериментальных результатов
по фотопроводимости
Выводы
Глава IV. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (AgInTe2)x(2HoTe)I_x
§ 4.1. Влияние термической обработки на электрические свойства
§ 4.2. Остаточная проводимость кристаллов при
освещении коротковолновым светом
§ 4.3. Влияние ультрафиолетового и рентгеновского
излучения на электрические свойства
§ 4.4. Кинетика остаточной проводимости при
ультрафиолетовом и рентгеновском облучении
§ 4.5. Влияние электрического поля на электрические свойства кристаллов
§ 4.6. Возможные причины особенностей физических
свойств (A^InTe2)x(2H Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА
Актуальность темы.Общее число элементарных полупроводников невелико;их электрофизические свойства не настолько разнообразны, чтобы удовлетворить требования современной полупроводниковой техники.Число же полупроводниковых соединений практически неограничено и,следовательно,всегда можно найти вещества с нужными для практики свойствами [1.19].
Для поиска новых сочетаний свойств большие возможности представляет группа алмазоподобных полупроводников, в частности, сложные полупроводниковые соединения на основе халькогенидов ртути,которые на сегодняшний день получили интересные и важные технические приложения [1.1,2,9].
До настоящего времени,однако,изучались в основном твердые растворы халькогенидов ртути с бинарными соединениями (Н§Те-Сс1Те, Н^Те-2пТе, Н£5е-1п25е2 и т.п.) то есть тройные соединения.
На основе халькогенидов ртути возможно образование и четверных композиций [1.9] ,которые к началу данной работы почти не исследовались. Тем не менее изучение свойств четверных соединений, в частности, соединений, выступающих под общей формулой
Т ТТТ УТ ТТ УТ А В АС2 - АА±В , является многообещающим. В данном случае,
кроме получения всей гаммы промежуточных свойств можно использовать исключительные свойства одного из соединений, не слишком меняя свойства другого, выбранного в качестве основы. Названные многокомпонентные гетеровалентные алмазоподобные фазы исследованы еще недостаточно, чтобы можно было говорить об их практическом использовании, тем не менее, можно быть уверенным, что оригинальные свойства этих веществ - неупорядоченное располо

Рис.9. Блок-схема установки для измерения релаксации фотопроводимости:
I - криостат; 2 - источник тока; 3 - широкополосный усилитель; 4 - Осциллограф СІ-79;
5 - генератор импульсов Г5-54; б - усилитель импульсного тока; 7 - гетеролазер йа Мкъ ;
8 - регулятор температуры.