Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
- Автор:
Воронцов, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
96 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур | Уткин, Алексей Борисович | 1999 |
| Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава | Карачевцева, Мария Виссарионовна | 2000 |
| Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках | Воробьев, Юрий Васильевич | 1983 |