Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
- Автор:
Воронцов, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
96 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния | Супрунов, Владимир Владимирович | 1999 |
| Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами | Винниченко, Максим Яковлевич | 2013 |
| Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x | Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна | 2003 |