Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
- Автор:
Торхов, Николай Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе», автор — Торхов, Николай Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2007 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003310626. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов | Скворцов, Аркадий Алексеевич | 2004 |
| Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов | Прыкина, Елена Николаевна | 2002 |
| Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации | Бабаян, Андрей Владимирович | 1998 |