Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
- Автор:
Торхов, Николай Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния | Иванов, Павел Анатольевич | 2001 |
| Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами | Калинин, Евгений Николаевич | 2005 |
| Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором | Хайрулина, Анна Салиховна | 2008 |