Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
- Автор:
Торхов, Николай Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Излучательные, электрические и магнитные свойства арсенид-галлиевых структур, дельта-легированных марганцем | Калентьева, Ирина Леонидовна | 2017 |
| Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда | Потапова, Дарья Александровна | 2001 |
| Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах | Рожанский, Игорь Владимирович | 2016 |