Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
- Автор:
Торхов, Николай Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия | Володин, Владимир Алексеевич | 1999 |
| Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов | Яременко, Наталья Георгиевна | 2013 |
| Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков | Токман, Иосиф Давидович | 1984 |