Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
- Автор:
Торхов, Николай Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе», автор — Торхов, Николай Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2007 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003310626. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование квантового электронного транспорта в разветвлённых полупроводниковых структурах с пониженной размерностью | Цуриков Давыд Евгеньевич | 2015 |
| Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона | Казарян, Ваган Артаваздович | 2004 |
| Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия | Романов, Вячеслав Витальевич | 2013 |