Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Прокофьев, Алексей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
122 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах», автор — Прокофьев, Алексей Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2003 году. Объем работы: 122 с. : ил. Внутренний код товара: 01002606513. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников | Каданцев, Алексей Васильевич | 2006 |
| Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода | Ионычев, Валерий Константинович | 1999 |
| Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6 | Хамидов, Марасилав Магомедович | 2006 |