Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Прокофьев, Алексей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
122 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением | Марков, Кирилл Александрович | 2002 |
| Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs | Коренев, Владимир Владимирович | 2013 |
| Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами | Терещенко, Олег Евгеньевич | 2013 |