Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Прокофьев, Алексей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
122 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях | Кручинин, Андрей Александрович | 1984 |
| Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе | Спицын, Алексей Сергеевич | 2009 |
| Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения | Исламов, Дамир Ревинирович | 2010 |