Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Прокофьев, Алексей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
122 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения | Борисова, Дарья Александровна | 2013 |
| Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x | Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат | 2000 |
| Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe | Алексеева, Галина Тарасовна | 1984 |