Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Прокофьев, Алексей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
122 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик | Гаргури, Хамши | 1984 |
| Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6 | Торопов, Алексей Акимович | 2005 |
| Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия | Свиридовский, Лев Савельевич | 1984 |